硅片设备
转化效率、设备、硅片、关键辅材。其中银浆的降本是目前异质结电池在产业化中的难点，异质结低温银浆耗量在240 mg，单片耗量是PERC电池的近3倍。丝印技术作为银浆降本的技术路线之一，通过主栅数量的
艰巨任务的动力。当前，在各位同仁和企业的努力下，异质结正在发展成为一个领军技术，异质结设备的逐渐国产化也成为HJT在中国落地的关键。未来，将是各种先进光伏先进技术相互竞争发展的时代，竞争带动创新，创新
回收，金属铟是储量的问题，生产环节是利用率的问题。靶材在生产过程中，真正能用到硅片上的只有40%，还有60%打在设备的腔体里面。 目前HJT吉瓦设备投资成本从2019年的8-10亿元，降至了2020年
国产化设备仍处于起步阶段，制作所需要的TCO靶材和低温银浆价格偏高，低温烧结栅线结合技术仍需优化。
对于企业和终端用户，异质结电池大规模产业化最主要的制约因素是成本价格偏高，薄片化是主要降低生产成本的
方式，硅片每减薄20微米价格可下降10%，对应组件价格降低5-6分/Wp。
异质结电池采用低温制造工艺，易实现薄片化，预计2030年厚度可降到120微米，据南京航空航天大学亚太材料科学院实验室研究
研发投入，注重人才和技术积累，累计获得光伏技术专利近百项。此次投产运营的1吉瓦182组件工厂采用了目前行业最领先的设备与技术，从最前端的无损切割到最后端的全自动包装，实现了行业领先的全自动
化生产制造。
DuDrive Max系列产品基于最新的182大尺寸硅片，综合了半片多主栅、无损切割、聚光圆形焊带、微间距、强化边框、大电流接线盒等技术，54片最高功率410W，72片最高功率545W，78片
垂直整合的制造系统阶段后，G12硅片的推出让我们认识到以工厂为单位的孤岛式降本增效需要向全产业链协同开始转变，即横跨产业链的数字整合。其次就是工艺设备和物流实现工厂自动化，通过数据采集和运营的集成实现
，未来总产能将达到135GW，中环半导体晶体BU数字化总监高润飞介绍道，硅片产能持续增加，不仅是单晶炉热场尺寸、设备尺寸和生产方式不断的升级，同时也受益于自动化模块的不断提升。例如2009年，单人仅能操控
设备把控以及头部厂商的融资优势，迅速使得多晶硅片一片哀鸿遍野，无数企业黯然退出;由于这一轮产业革新的震中在硅片领域，所以在硅片环节也有着最高的集中度。 紧接着就是Perc叠加单晶硅片出现的1+12的
我国新增光伏装机量达到60GW，组件出口量为80GW左右。 第二，从硅料的直接下游硅片环节来看，2020年我国硅片产量约为159GW。截止2020年底，我国硅片产能为230GW/年。2021年1季度
： (1)、用来扩产宁夏中环6期50GW(G12半导体硅片)项目，使得G12绝对优势。 (2)、中环股份，在光伏210大硅片，G8半导体硅片和G12半导体硅片，均有显著优势。 定增90亿的思考解析
，在电池、组件生产速率基本固定情况下，通过提升硅片尺寸 可以使单位时间产出的电池、组件功率提升，从而降低分摊至单瓦的设备、人工及其他生产成本;
2) 电站系统方面，在组件串联数一定的情况下，通过单体
、理想已有相应产品推出，迈为股份与捷佳伟创也在积极研发。设备国产化有望显著降低HJT产线的投资成本。此外，HJT制作原料所需的低温银浆和靶材国产化研发顺利，低温工艺还为硅片薄片化提供可能，出片率提升可有
线逐渐向GW级量产化迈进，降本成为重中之重。对于异质结来说，设备投资成本和辅材价格是两大关键成本主线。目前，在辅材端硅料和银浆两大成本中，降本正在提速。随着设备自动化技术的提高，异质结硅片厚度有望从
