硅片剥离

上交了科技部等主管部门，具体细节不得而知，但据披露"方案所制定企业涵盖了所有光伏太阳能企业的上下游，既有无锡尚德这样的光伏太阳能电池组件生产企业，亦有赛维LDK这样的硅片生产企业。由于为集体制定的结晶
，所上交方案极为科学合理，包括采用哪个厂的硅片、哪个厂的电池片、哪个企业的组件都有提及，可操作性极强"可以想见，这不是通过市场竞争，而是通过利益联盟，在一片和谐的氛围中实现的整个产业链良好生存（尤其是

至背面，使得上表面完全没有金属。通过钻微型通孔，将上表面与下表面接触连接起来，就可以实现这一点。利用WMT，每块硅片需要钻约200个通孔。而EWT要求每块硅片上有高达2万个这种通孔。激光钻孔是唯一可能
满足商业规模速度的工艺。同时激光器还可用于形成新型结构，如激光烧制接触（LFC），这种结构对于支持某些先进的薄硅片产品是必须的。 　　为完全满足这些不同工艺，设备供应商们应集成平均功率大（高达

1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41”角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低
％的电池都采用深结而不是浅结。浅结电池已成为历史。 PEsC电池的金属化由剥离方法形成Ti-pd接触，然后电镀Ag构成。这种金属化有相当大的厚／宽比和很小的接触面积，因此这种电池可以做到大子83