硅烷

，市场供不应求。公司经过3年多的研发和试验，攻克了氯硅烷制备颗粒多晶硅的多项技术难题。近日，由这家公司自主设计研发的颗粒多晶硅中试线正式投用。 亚洲硅业(青海)有限公司的中试线突破性地采用氯硅烷(二
氯二氢硅)直接分解工艺制备颗粒多晶硅，大幅提升了工艺运行稳定性、经济性以及产品质量。主要有五大优势： 第一，较传统颗粒硅生产工艺，该法去除了氯硅烷制备硅烷环节，使生产工艺得到简化，从而使设备投资降低

过程中出现的薄膜破裂及纯度不高的问题进行了工艺参数优化;文献研究了硅烷浓度、存底温度等工艺参数对PECVD沉积产物特征的影响。然而,现有的试验方法均属于单响应物理试验,需要耗费大量的时间和经费
薄膜厚度和折射率的影响 实验采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备氮化硅薄膜,使用PD-220N型镀膜机,源气体采用硅烷和氨气,基片采用单面抛光的硅片。由于本实验是3因素(射频功率A、沉积温度B

玛雅设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应

复合纳米材料的化学稳定性能以及功能可修饰性能。该工作选择了氧化锌为研究对象，选用硅烷偶联剂对其进行修饰。溶液方法合成的氧化锌纳米颗粒表面含有大量的羟基，易于导致纳米材料的团聚，以及吸附大量氧，从而引起
墨水稳定性不理想，以及器件界面电荷累积。该研究团队通过表面羟基与硅氧烷基的配体交换，获得一类基于硅烷偶联剂修饰的氧化锌纳米材料(图3)。该材料用于有机倒置结构太阳能电池中，抑制了常见的光浴现象。该类

半导体材料科技有限公司，打造国内首条5000吨电子级多晶硅专用线，经过近两年的建设与调试，已经生产出合格电子级多晶硅产品，实现了原料自主。 鑫华半导体项目采用改良西门子法循环利用氯硅烷工艺生产电子级多晶硅。经过前期缜密的调试，目前产品指标经第三方测试远超国标电子一级品指标，试拉晶体效果完美。

工学博士点。从上世纪50年代开始，浙江大学在硅烷法制备多晶硅提纯技术、掺氮直拉硅单晶生长技术基础研究等取得系列重大成果，在国际上占有独特的地位;同时，实验室一直坚持产、学、研紧密结合，取得显著经济效益。同时，该实验室是国内硅材料基础研究、技术开发和人才培养的主要基地。

为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所

，以及相应知识产权、科技含量、品牌计算得出的结果，包括了此前收购的SunEdison 第五代CCZ 拉晶技术、硅烷流化床颗粒硅技术及其附属公司SunEdisonProductsSingapore
10吉瓦产能。 2017年4月，保利协鑫正式公告，以1.5亿美元收购了美国光伏公司SunEdison。SunEdison是全球最领先的清洁能源资产公司之一，保利协鑫接手了其电子级硅烷流化床颗粒硅技术

(二期) 2014年9月，河南硅烷科技发展股份公司一期工程600吨高纯度硅烷气生产线成功投产。经过短期设备调试，当年10月26日，产品硅烷气纯度达到了全球业界一流水平。为扩大企业生产，推动行业发展