硅烷

薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化
，载流子迁移率不够大而使其在器件应用方面受到一定限制。虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴随着表面粗糙度的增加，对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响。 固相晶化(SPC

盈利能力；下游的组件封装厂商议价能力相对较弱，在成本传导不畅的情况下，其盈利能力会受到影响。 　　非晶硅与晶硅相比，最大的区别在其工艺是将粗硅料制备为硅烷气体，然后直接将硅烷气体进行玻璃镀膜，最后制作

ürgen Pressl在签署合同后说：“这些原料可以帮我们顺利的扩充产能，我们的战略目标是到2012年产能达到500兆瓦。” NITOL多晶硅工厂位于西伯利亚，有自己的三氯硅烷厂

林等人第一次采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七

采用辉光放电（GD）或等离子体增强化学气相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅（a一Si：H）薄膜。这种方法采用射频（直流）电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成a七i薄膜。开始
中的氢的移动有关a-Si材料是在较低的温度下，通过硅烷类气体等离子体增强化学分解，在衬底上淀积获得的。它的硅网络结构不可避免地存在硅的悬键。这些悬键如果没有氢补偿，隙态密度将非常高，不可能用来制作

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可

1956年英国国际标准电气公司的标准电讯实验所研究成功了SiH4热分解制备多晶硅的方法，被称为硅烷法。1959年日本的石冢研究所也同样成功研究出该方法。美国联合碳化物公司研究歧化法制备SiH4，1980年
发表最终报告，综合上述工艺并加以改进，诞生了新硅烷法多晶硅生产工艺技术。 改良西门子法制备多晶硅 l 在西门子法工艺基础上，增加还原尾气干法回收系统、SiCl4氢化工艺，实现了闭路循环，形成

较弱，在成本传导不畅的情况下，其盈利能力会受到影响。　　非晶硅与晶硅相比，最大的区别在其工艺是将粗硅料制备为硅烷气体，然后直接将硅烷气体进行玻璃镀膜，最后制作电极和封装。非多晶硅工艺相对简单，产业链上环

、本征层掺痕量硼法、等。此外，为了提高a-Si薄膜材料的掺硼效率，用二基硼代替二乙硼烷作掺杂源气。为了获得a-Si膜的高淀积速率，采用二乙硅炕代替甲硅烷作源气。 所谓化学退火，就是在一层一层
，H0M0一CVD技术和热丝CVD技术等。离子束淀积a-Si合金薄膜时，包括硅烷在内的反应气体先在离化室离化分解，然后形成离子束，淀积到衬底上，形成结构绞稳定的a一Sl合金薄膜。 H0M0一CVD技术通过