硅烷法

硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 　　被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆?厘米（? cm）；基硼电阻率2600欧姆?厘米

原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 　　被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆?厘米（ ? cm）；基硼电阻率2600欧姆?厘米
　　调查范围：原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅。 　　被调查产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：Solar-Grade Polysilicon。 　　被调查产品的具体描述：以氯硅烷为

：Solar-GradePolysilicon。被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆?厘米

：Solar-GradePolysilicon。被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用(改良)西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为：基磷电阻率300欧姆?厘米(?cm

Polysilicon。被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。被调查产品电学参数为：基磷电阻率《300欧姆？厘米（？cm）；基硼电阻率

调查产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：Solar-Grade Polysilicon。 　　被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状

产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：Solar-Grade Polysilicon。 　　被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状

实现硅材料生产的环境友好。相关内容包括：改良西门子法、硅烷法、物理、化学冶金法多晶硅材料生产技术，太阳电池用银浆、银铝浆、TPT背板材料、EVA封装材料、薄膜电池用TCO玻璃基板等关键配套材料制备技术等

介入了此事，便重新把硅烷技术(1971年发明)及冷氢化技术找出来，开始准备建立中试装置。(5)1979~1981年，UCC在Washougal建立了一个做硅烷(100MTA硅烷)的中试工厂(生产硅烷的

生产运营人员的角度来对国内改良西门子法多晶硅生产的主要生产成本进行分析，与大家一起进行探讨。对于文中存在问题的一些观点，还请大家给予指正。由于多晶硅生产中是电耗、TCS生产成本及耗量、设备折旧这三
各方面是影响多晶硅成本的关键因素，因此本文主要从这三个方面进行分析，以探讨出影响国内多晶硅生产成本的真正原因。1、改良西门子法多晶硅生产工艺概述：为了方便大家对于本文中所论述的技术工艺有更深入的了解，先对