硅材料

有更高的可靠性，它们用上25年甚至35年、40年都是可能的，光伏电站的回报率也自然上升。国际合作也需要进一步加强。贸易保护政策使两国企业的交流变少了，低成本的电池无法进入美国市场，而美国的低价硅材料同样

抓住机遇，携手合作，释放无限能源，在未来的十年创造属于我们的风电时代。西安隆基硅材料股份有限公司总裁李振国进步的方向第一个是走高效的路线，第二个走高可靠的路线。李振国特别提出贸易保护对于光伏成本下降造成

现实，可穿戴设备将变得更加完美。目前，来自中国、美国以及韩国的科学家已经开发出类似电池，它可以任意改变形状以适应不同的设备。中国科学技术大学熊宇杰教授课题组基于应用广泛的半导体硅材料，采用金属纳米结构

%，突破了国际上同类结构电池的最高水平。据了解，此类电池通过在p型单晶Si(100)上扩散磷制备pn结，利用化学刻蚀方法在n型发射极中形成多孔黑硅，并利用该种黑硅材料制备出高效太阳能电池。

索比光伏网讯:采用黑硅材料制备出的电池效率达到18.97%，突破了国际上同类结构电池的最高水平。日前，复旦大学光科学与工程系陆明课题组通过在p型单晶Si(100)上扩散磷制备pn结，利用化学刻蚀方法
在n型发射极中形成多孔黑硅，并利用该种黑硅材料制备出高效太阳能电池。由于硅纳米晶带隙高于晶硅，该黑硅电池的开路电压也就高于相应的平面硅电池。而且，发射极的梯度带隙结构还抑制了前表面电子和空穴的复合

索比光伏网讯:近日，西安隆基硅材料股份有限公司拟对旗下宁夏隆基800MW单晶硅棒投资项目进行变更。原项目名称为宁夏隆基硅材料有限公司年产800MW单晶硅棒项目，变更后项目名称为宁夏隆基年产1GW

索比光伏网讯:采用黑硅材料制备出的电池效率达到18.97%，突破了国际上同类结构电池的最高水平。日前，复旦大学光科学与工程系陆明课题组通过在p型单晶Si(100)上扩散磷制备pn结，利用化学刻蚀方法
在n型发射极中形成多孔黑硅，并利用该种黑硅材料制备出高效太阳能电池。由于硅纳米晶带隙高于晶硅，该黑硅电池的开路电压也就高于相应的平面硅电池。而且，发射极的梯度带隙结构还抑制了前表面电子和空穴的复合

兆瓦，销量8880兆瓦。经过10年的发展，通过科技创新手段，目前保利协鑫在逐渐降低太阳能硅材料、切片的生产成本，从而接近平价上网。他表示，多晶硅经历了过去100多美元/公斤的高价，十三五末的成本将低至

2016年10月20日，保利协鑫副总裁吕锦标在OFweek太阳能光伏网发表了主题为《平价上网时代的中国多晶硅材料产业》的在线演讲。在演讲中，吕锦标对中国多晶硅及硅片产业的发展做了详细的分析与阐述
，并在问答环节针对光伏补贴下调、领跑者项目低报价、多晶硅成本下降等当下光伏行业热点问题作出了解答。以下是演讲内容：大家好，我这次在OFweek展会的研讨主题是《平价上网时代的中国多晶硅材料产业》，将会