硅晶棒
。 1.引言 在晶棒脱胶完毕后，或在分选硅片时，常会发现硅片胶面呈现边沿发亮，硅层呈线式脱落崩边的情况，其分布位置多为胶面倒角附近，有时也会产生在倒角中间位置。胶面崩边是一种较常见的硅片缺陷，其影响
，粘接工序在配块时存在很大困难。因此这部分长度较短的短块会单独粘接，进行切割。 2.小块切割现状 在硅块切割前，首先要将硅块、玻璃、托盘等粘接成晶棒。小块的粘接方式和步骤为： (1)准备好托盘和
，电池效率分布很广，有10-20%低效电池;三是全单晶比例偏低(30%)，出现大量2、3类片(大晶花，高位错);四是拼接缝在硅片上引起色差。
在日益追求产品效率的光伏行业，上述四点原因也注定了铸造单晶的
显差异。另外，通过Hennecke全自动分选线严格控制晶花问题，将单晶面积小于99%的硅片选为三类片，占比约10%。
据协鑫集成首席技术官张淳博士介绍，在2018年9-10月份研发阶段发现，三类片
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片面前，封装所用的材料的成本是微不足道的，于是当时封装的解决方案是这样的： 阶段二：切掉一点点 随着硅料和长晶环节的优化，硅片电池片成本不断向下，这种大量留白、很没有效率的封装模式渐渐被热门抛弃。把
面积更大，相比直拉单晶电池片八角结构，正方形的铸锭单晶可以充分利用组件表面积，以158.75mm的硅片尺寸为例，比211圆棒，带倒角的158.75单晶硅片增加0.8%的受光面积，比156mm硅片大2
210mm提升到224.5mm。因此，为生产方形单晶会使得单张硅片的长晶成本提高12%左右。 假设A、B、C三个单晶硅片企业的传统单位kg单晶方棒长晶成本为30元、40元、50元，他们的绝对成本差距为10
。 随着新建硅料产能逐步向电价较低的西部地区转移，长期来看硅料仍具备明显的降价的空间。 硅片:金刚线切割渗透接近尾声 硅片的工艺分为两个方面: 一是长晶工艺，包括单晶硅的直拉法
效的能源和较高的投资回报率。
锦州阳光能源从2003年与日本夏普合作单晶硅棒开始，就深耕日本市场。2009年开始与日本夏普电池合作，2012年底开始与日本夏普组件合作，并且至今保持着连续6年成
335W,半片双玻72片组件超过400W。阳光能源作为单晶全产业链老牌企业，具有单晶全产业链优势，对于方单晶产品，从拉晶端到切片到电池再到组件，可以实现全产业链无缝对接，最大发挥全产业链产品优势，保持
