硅晶材料

9月5日，2019 CITPV中国国际光伏技术论坛分论坛硅材料技术论坛在杭州举行。本次论坛由中国光伏行业协会主办，Solarbe索比光伏网、智新研究院承办。来自海内外光伏行业的技术专家、科研院校
、光伏企业技术研究人员齐聚杭州，共同探讨硅材料技术产业化与未来发展趋势。 多晶硅材料制备技术国家工程实验室主任 严大洲 目前国内在开多晶硅企业生产成本之间的差异主要来自于电价的差异

电耗60度，多晶公斤电耗10度(2009年)，硅料容忍度宽，克服硅料短缺困难，操作易上手，更易规模化生产。但传统铸造多晶晶粒不受控，并伴随大量孪晶，日本学者提出枝晶形核技术，未能产业化，学术界有报道大

底部到顶部整个的晶界非常清晰，边缘硅锭制备电池的平均效率绝对值提高了0.59%，中心区铸造单晶与直拉单晶效率相差0.05%，达到了直拉单晶的水平。 在可预见的将来，硅将是光伏产业的主要基础材料，直拉硅单晶的氧浓度降低和光衰减抑制期待更好解决，铸造单晶技术的单晶率、位错、籽晶问题依然有待突破。

电池片和组件厂商提供降本空间，产业链上下游共同协作，加快降本增效。随着硅片尺寸的增大，拉晶和成本控制难度越来越大，有助于继续优化单晶硅片环节竞争格局。 电池片技术转型或将驱动N型硅片需求，N型硅片渗透率

G3硅片晶粒面积不超过1%，电池片与组件上已经鲜有晶花。 相对于直拉单晶，铸锭单晶具有低衰减的优势。这主要是因为铸锭单晶硅片氧含量为直拉单晶硅片的50%左右，甚至更少，这样可以有效降低硼氧复合体带来的

规模项目，其中部署的HJT模块需要更换。我的理解是，薄膜硅 - 无定形或微晶 - 是一种难以在大量生产且具有一致性能的材料，Chase说。使用薄膜硅的异质结将需要比最后一批更好地解决这个问题

早期的光伏行业以多晶硅产品为主，其优势诸如成本低、工艺简单、量产规模大等，近年来单晶硅崛起，逐步蚕食多晶硅的市场份额。 单晶硅与多晶硅晶体生长工艺不同，其晶面取向相同、无晶界，品质优异从而具备

的多晶硅对于产品纯度要求更高，一般要求9N以上，应用于电力电子上的硅材料纯度要求更高，通常要求纯度达到11N以上。太阳能级多晶硅处于晶硅光伏产业的上游环节，多晶硅料经过融化铸锭或者拉晶切片后，可分别做成

、渔光互补、农光互补等项目上。 据了解，汉能SHJ电池采用隆基高质量n型硅片为底材，融合汉能的薄膜太阳能技术，用非晶硅氧和硅碳合金薄膜作为钝化层，以微晶 硅氧合金材料作为窗口层，显著提高了开路