硅基

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达拉特旗政府:建成国家级沙漠光伏发电应用领跑基地,装机容量达1.148GW!来源:达拉特旗人民政府 发布时间:2022-02-16 09:53:32

科技新政30条,鼓励全领域全产业全行业创新。强化企业创新主体地位,积极引导企业联合高校、科研院所建立技术创新联盟,开展固废资源化利用、碳基硅基新材料应用等技术攻关,提升产学研合作转化能力。实施高新技术
。推动新材料产业高端化发展。规划布局硅基新材料等产业,实施圣和1.75万吨硅油硅胶硅树脂、长信1500吨碳纳米管等项目,培育壮大建能兴辉新型节能建材、蒙泰新型高端铝合金产业。推动文化旅游业融合

年产20万吨,斥资175亿!合盛硅业进军硅料市场!来源:索比光伏网 发布时间:2022-02-14 16:14:05

2月14日,合盛硅业(SH:603260)发布公告,公司拟通过全资子公司新疆中部合盛硅业有限公司在新疆乌鲁木齐市甘泉堡经济技术开发区(工业区)内进行新疆中部合盛硅业有限公司硅基新材料产业一体化项目
(年产20万吨高纯多晶硅项 目)投资建设,项目预估总投资额高达175亿元。 公司表示,本次对外投资,旨在凭借丰富的行业经验、技术积累、规模优势和客户资源,进一步扩大和完善公司在硅基新材料全产业链的布局

光伏储能市场一触即发!碳化硅光伏逆变器风光无限来源:电子发烧友网 发布时间:2022-02-14 08:49:08

赛道中激烈的角逐。 从行业发展角度与能源利用率来看,碳化硅光伏逆变器有望替代传统的硅基光伏逆变器,并成为行业发展的重点。据了解,使用碳化硅功率器件的光伏逆变器在系统转换效率方面能够很好的保持在96
早已嗅到碳化硅带来的商机,并依托在硅基功率器件领域的决定性优势,大力发展碳化硅功率器件。 截至目前,英飞凌在碳化硅领域已经积累了将近20年的研发经验,于2002年英飞凌推出了业界首款碳化硅的肖特基级

TOPCon、HJT之后:谁将接力下一代光伏电池技术?来源:中信建投 发布时间:2022-02-11 08:22:37

效应降低表面少子浓度,从而降低表 面复合速率,同时降低串联电阻,提升电子传输能力。电池背表面为叉指状排列的 p+ emitter(p+发射极)和 n+BSF(n+背场区)。 其中,前者与 N 型硅基
底形成 P-N 结,有效分离载流子,是电池的核心结构;n+BSF 主 要是与n型硅基底形成高低结,诱导形成P-N结,进一步增强载流子的分离能力。此外,前后表面均采用SiO2/SiNx 叠层膜进行

强强联合!双良节能与合盛硅业、东方希望签订7.44亿还原炉订单合同来源:SOLARZOOM光储亿家 发布时间:2022-02-10 07:55:51

有限公司与新疆中部合盛硅业有限公司签订的多对棒还原炉设备,用于新疆中部合盛硅业有限公司硅基新材料产业一体化项目(年产20万吨高纯多晶硅项目),合同金额为人民币32,560万元(含税)。 其二为公司控股

比亚迪入股金石能源 布局异质结相关领域来源:全球光伏 发布时间:2022-02-08 07:25:17

第一个国家工程研究中心。 关于福建金石: 2005年,进入硅基薄膜太阳电池技术及装备研发; 2007年,承担薄膜电池产业化国家863重大专案计划的企业,获得国家科技部支持; 2008年,成为

新疆:2022年重点推动2万吨光伏制氢等重大项目来源:亚化咨询 发布时间:2022-02-07 17:21:35

%,全社会电力供应总量增长13.58%,其中新能源占比达到19.8%,外送电量1159亿千瓦时、增长20.7%,为全国能源供应作出重要贡献!战略性新兴产业呈现快速发展势头,光伏硅基新材料产量46.94
业等重点企业自主创新发展,推动光伏硅基产业进一步扩大规模,吸引一批电子元器件企业落户新疆。 2022年重点工作,推进三基地一通道建设,重点推动天山北坡万亿立方大气区和中石化库车2万吨光伏制氢等一批

2022硅料过剩“倒计时”:降价通道已开启,机构预测将跌至170元/公斤来源:华夏能源网 发布时间:2022-02-07 08:03:50

很多起。其中,合盛硅业将在乌鲁木齐投资355亿元建硅基新材料产业一体化项目;江苏阳光将在内蒙古巴彦淖尔投资351.5亿元建设10万吨多晶硅等项目;信义光能将在云南曲靖建设多晶硅生产厂房,估计年产能为6

硅光子技术不断得到突破,数据中心对其需求量大来源:新思界网 发布时间:2022-01-30 21:45:28

,2021年7月,中国科大教授潘建伟、张军等联合浙江大学储涛教授研究组,通过研制硅基光子集成芯片和优化实时后处理,实现了速率达18.8Gbps迄今最快的实时量子随机数发生器。该研究工作得到了科技部

进击的中国IGBT来源:全天候见闻 发布时间:2022-01-25 09:53:11

电力电子器件的性能提供了更大的空间。 目前的车规级半导体都以硅基IGBT为主,但近年来,SiC半导体材料迅速崛起。相比于硅基IGBT,SiC器件性能更优、体积更小、能耗更低,缺点则在于成本较高,同等
级别的SiC MOSFET芯片,其成本是硅基IGBT的8~12倍。 图片来自半导体行业观察 据IHS Markit数据,受新能源汽车庞大需求的驱动以及电力设备等领域的带动,预计到