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硅基组件
《光伏制造行业规范条件》企业名单内。2.申请进入《北京市延庆区分布式光伏发电项目备选产品名录》的多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17%；硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉
-多晶硅-单晶硅片-单晶电池-单晶组件-特色农业光伏电站为主线的，全球最具竞争力、规模最大最强的高效单晶制造和应用双领跑者基地和硅基产业集群。5GW高效单晶硅棒项目落户保山硅基工业园，是保山市用清洁能源
效率分别不低于16.5%和17%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件衰减率在1年内
类别打造各内储能系统。锂离子电池未来将围绕提高能量密度、降低成本、高安全电解液和隔膜、长循环寿命方向发展，硅基负极、高电压正极、富锂正极材料的开发，同时不断提高的生产自动化硅基材料因其理论比能量为技术
(含光伏组件、逆变器、单元升压变压器等)、光伏发电站汇集线路、光伏发电站控制系统模型及参数，用于光伏发电站接入电力系统的规划设计及调度运行。对于不同类型、不同容量的光伏方阵、逆变器构成的光伏发电单元
光电转换效率不低于28%;（三）硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%;（四）多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率分别
%，之后每年衰减率不高于0.5%，项目全生命周期内衰减不高于10%。（四）硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%；自项目投产运行
质量技术标准：（一）第一年系统效率（PR）不低于81%，即年上网发电利用小时与组件同平面年累计全辐射照值的比值不小于0.81。（二）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别高于16%和16.5
之日起，一年内衰减不高于2%，之后每年衰减率不高于0.5%，项目全生命周期内衰减不高于10%。（四）硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11
。第十二条 光伏扶贫项目应达到以下质量技术标准：（一）第一年系统效率（PR）不低于81%，即年上网发电利用小时与组件同平面年累计全辐射照值的比值不小于0.81。（二）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的
光电转换效率不低于28%;
(三)硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11% 和10%;
(四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起
效率达到30% 以上;
4.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe) 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13% 和12% 以上。
(二) 逆变器指标：
1.逆变设备供应商
效率不低于28%；（三）硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%和10%；（四）多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5
聚光光伏组件光电转换效率不低于28%;(三)硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11% 和10%;(四)多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年
