硅基太阳能电池

效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备
，十一五末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池产品质量逐年提升，尤其是在转换效率方面，骨干企业产品性能增长较快，单晶硅太阳能电池转换效率达到17%-19%，多晶硅太阳能电池转换效率为

%。　　布局三大技术研发《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。在关键指标设计上，《规划》明确到2015
的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉，十一五末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池产品质量逐年提升，尤其是在

　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅
电池产业化平均效率突破10%。(来源：南方都市报 南都网) 　　沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉，“十一五”末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池

晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30
%。 　　沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉，十一五末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池产品质量逐年提升，尤其是在转换效率方面，骨干企业产品性能增长

索比光伏网讯:本文对太阳能电池的暗电流产生原因进行了系统的研究。暗电流不仅仅包括反向饱和电流。还包括薄层漏电流和体漏电流。在太阳能电池实际生产中，暗电流高于５Ａ的电池比例偏高，其产生的原因多种多样
太阳能电池而言，暗电流不仅仅包括反向饱和电流，还包括薄层漏电流和体漏电流。反向饱和电流是指给ＰＮ结加一反偏电压时，外加的电压使得ＰＮ结的耗尽层变宽，内建电场变大，电子的电势能增加，Ｐ区和Ｎ区的多数载流子数载

索比光伏网讯:HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚5～10nm）质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面
侧的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶Si片的来构成的.图一.HIT太阳能光伏" title="光伏新闻专题"光伏电池结构HIT太阳能光伏电池基板以硅基板为主；在硅基板上沉积高能隙

至少延长了7倍，最终大大提高了太阳能电池的效率。低成本太阳能电池基于单晶或多晶体硅基底的硅太阳能电池是光伏市场的主体。但若全部用高纯硅制作，生产这种太阳能电池非常耗能，并且比较昂贵。为进一步推动

多晶硅光伏产业进行反补贴征税，反而对于硅基薄膜光伏产业来说，是一个非常好的战略机遇期。” 据悉，硅基薄膜太阳能电池具有组件成本低、产业链短、能耗小、无污染、弱光发电性能好等特点，尤其在发电应用上易与
。一纸裁定，对于处于整体低迷期的光伏业而言，仍是不小的冲击。业界普遍表示，尽快打开国内这个最大的光伏市场更成为重中之重。 然而在逆境之中，机遇并存。3月29日，汉能控股海南硅基薄膜太阳能研发制造

材料科学家。结合新开发的硫化电解质，他们可制成更有效率和更强大的太阳能电池，成本只有目前传统硅基太阳能电池的一小部分。 　　与娄军共同牵头的研究人员是材料科学与工程教授林红（Hong Lin），4月16日

4月18日，海南海口艳阳高照。在海口综合保税区，汉能海南光伏基地生产车间内，一片片硅基薄膜太阳能电池正从生产线下线，整个车间呈现出一片繁忙的生产景象。不仅如此，海南英利、海马海口基地、海南椰岛同样