硅基光伏

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人民日报:光伏可以靠薄膜走出困境?来源:人民日报 发布时间:2012-04-16 08:50:31

Solarbe(索比)太阳能网讯:本来是朝阳产业的太阳能光伏企业,从去年开始普遍遭遇严冬。不仅一批后进入的中小企业纷纷关门倒闭,就是无锡尚德等龙头企业,也日子艰难,出现严重亏损。   每
。面临“前狼后虎”局面的中国光伏制造企业,如何才能摆脱困境?   根本出路是核心技术   光伏企业目前困境重重,主要是因为欧美债务危机影响下,欧美国家减少了相关投资,并打响贸易战,使严重依赖海外市场的

光伏企业如何走出困境来源: 发布时间:2012-04-16 08:25:59

逐步突破。当我们硅基薄膜的发电成本能够做到0.3美元,也就是不到3元人民币,未来甚至都可以和火电竞争。到那时,中国的光伏制造企业的国际竞争力就真正形成了。  两条腿走路启动国内市场太阳能光伏产业要走

宁波太阳能光伏产业再添新力军来源: 发布时间:2012-04-16 08:24:59

宁波太阳能光伏产业链再添新军。4月14日,300兆瓦聚光太阳能发电芯片项目顺利签约,落户宁波余姚市经济开发区。据余姚市经济开发区招商部有关人士介绍,300兆瓦聚光太阳能发电芯片项目由中
国光电股份有限公司投资建设,总投资1亿美元,项目投产后,可年产300兆瓦太阳能发电芯片,预计年产值达30亿元。聚光太阳能又称为聚光光伏,该技术是通过聚光的方式把一定面积上的光通过聚光系统会聚在一个狭小的区域(焦斑

欧盟组建研究团队开发下一代薄膜光伏技术来源: 发布时间:2012-04-10 09:07:33

硅基薄膜光伏技术的产业化。几家公司先后在2010左右生产出效率达到10%的硅基薄膜光伏组件产品(面积大于1m2)。而硅基薄膜光伏技术的下一项挑战就是如何生产结构复杂但效率更高的硅薄膜多节太阳能电池。其难点

光伏产业:要做就做“高大全”来源: 发布时间:2012-04-07 08:35:59

河源、浙江长兴3个光伏制造基地陆续顺利投产,2012年,除了海南外,汉能在江苏、山东等基地也将陆续投产,逐步走向全球最大的硅基薄膜太阳能企业。英利同样依靠全产业链优势,降低成本维持业内较高的毛利率。在很多
中国光伏企业正在迫切地表明自身的日渐强大。在海南,英利打造光伏全产业链的广告牌高高地伫立在高速公路的两旁;中国化工集团公司也宣布正在筹建一个覆盖光伏全产业链的航母级企业。3月29日,汉能控股

比蜘蛛丝还薄的薄膜太阳能电池来源:Solarbe.com 发布时间:2012-04-06 12:19:35

之间的合作开发了这种电池,该种电池比任何其他任何最新技术的太阳能电池都要更薄、更轻、更柔韧,差距达10倍。 尽管就效率而言,传统的硅基光伏的效率具有极大的优势,但这种新的研发可以用于电子
(Shine Magazine/《光能》杂志 & www.solarbe.com/索比太阳能光伏网 记者 明今编译) Solarbe(索比)太阳能网讯:研究人员已经开发出柔软、可伸缩的

光伏产业: 市场需求 是原动力来源: 发布时间:2012-04-06 08:56:59

3月29日的海口保税区,天高云淡,阳光灿烂,海南汉能硅基薄膜太阳能研发制造基地投产仪式如期举行。此项目是十二五期间省市两级重点建设项目,也是海南大力发展战略性新兴产业,调结构、优发展、节能减排的重要
组成部分。海南省省长蒋定之表示,该省具有太阳能光伏应用的巨大市场潜力,政府要用一系列优惠政策支持光伏产业发展,还将设立专项资金,在琼岛的住宅和一些建筑工程上广泛运用清洁能源技术。在成为历史的2011

湖南科技厅厅长彭国甫莅临共创光伏工业园视察指导来源:共创光伏 发布时间:2012-04-05 23:59:59

索比光伏网讯:世纪新能源网讯(记者张松)报道,日前湖南省科技厅厅长彭国甫一行在衡阳市正厅级干部、市政府顾问陈新文,共创集团董事长谢辉的陪同下莅临共创光伏工业园进行视察指导。 在硅基
薄膜太阳能电池生产车间,彭国甫详细听取了首席科学家李廷凯博士关于硅基薄膜太阳能电池等主要产品技术研发情况的汇报,并给予了高度评价。他指出,湖南科省科技厅一直高度重视光伏产业与建筑节能产业,将进一步协调相关职能部门优化

廖显伯:硅基薄膜太阳电池新进展来源: 发布时间:2012-04-05 23:59:59

索比光伏网讯:3月30日,中国科学院半导体研究所廖显伯研究员应邀参加电工所《科技前沿论坛》学术报告会,就硅基薄膜太阳电池新进展与我所科研人员进行交流。廖显伯研究员是中国太阳能学会光伏专委会
会员,中国物理学会非晶态专委会会员。长期从事硅基薄膜太阳电池的研究,曾获得中科院自然科学二等奖和科技进步奖。2006年退休后,转聘为美国Toledo大学研究教授,研制的硅基薄膜太阳电池效率达到14.6%,为

科学家首次成功在硅上集成50微米厚锗来源: 发布时间:2012-04-05 23:59:59

索比光伏网讯:据物理学家组织网3月29日报道,瑞士和意大利科学家在3月30日出版的《科学》杂志上指出,他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大突破,成功在硅上集成了50微米厚锗,新结构几乎完美无缺
成廉价的硅基座,并在极端环境下让锗晶体在硅柱上生长。这一过程可制造出任何厚度的没有瑕疵的硅锗层。他们在实验室制造出的最厚的锗结构为50微米,是以前的10倍。瑞士联邦理工学院的编外讲师汉斯冯-卡纳尔说