硅基光伏电池
望引领下阶段光伏电池产品的发展趋势。
易晖公司成立当年，2011年12月纳米天线硅基薄膜太阳能电池创业项目就入选了2011年度中国留学人员回国创业启动计划优秀创业项目，第二年8月太阳能电池专用
望引领下阶段光伏电池产品的发展趋势。
10月底，易晖从仲恺高新区科创中心孵化器进入惠南产业园加速器，正在建设第一条全自动镀膜生产线，年产能20万平方米，计划明年8月投产，投产后年产值将达到3000
几年苦日子的光伏企业打了一针兴奋剂,巨额投资潮随即出现。
政策刺激下,不仅是组件厂商,上游多晶硅及下游的逆变器厂商亦在扩产路途中。大全集团将投资10亿元将新疆现有6200吨多晶硅基地扩产至1.2
万吨;阳光电源在11月宣布,将投资2亿元在西宁建设逆变器生产基地。
资料显示,这并不是中国光伏企业的第一次扩产。2009年,中国光伏电池组件产能仅为6GW。在经历两年的扩产后,到2011年底中国
光伏企业打了一针兴奋剂，巨额投资潮随即出现。政策刺激下，不仅是组件厂商，上游多晶硅及下游的逆变器厂商亦在扩产路途中。大全集团将投资10亿元将新疆现有6200吨多晶硅基地扩产至1.2万吨；阳光电源
(30.810, 0.08, 0.26%)在11月宣布，将投资2亿元在西宁建设逆变器生产基地。资料显示，这并不是中国光伏企业的第一次扩产。2009年，中国光伏电池组件产能仅为6GW。在经历两年的扩产后，到2011
设想达到45GW的新增安装量，依照目前组件的扩产量数，明年供应仍会处于供不应求状态。
不仅是组件厂商，上游多晶硅及下游的逆变器厂商亦在扩产路途中。大全集团将投资10亿元将新疆现有6200吨多晶硅基
。2009年，中国光伏电池组件产能仅为6GW。在经历两年的扩产后，到2011年底中国的光伏企业数量将近1000家，光伏组件的产能近40GW。
上述浙江光伏企业高管透露，经历近两年的行业整合
目前组件的扩产量数，明年供应仍会处于供不应求状态。不仅是组件厂商，上游多晶硅及下游的逆变器厂商亦在扩产路途中。大全集团将投资10亿元将新疆现有6200吨多晶硅基地，扩产至1.2万吨；阳光电源在11月宣布
，2013年初开始铺货，计划2013年可以作到1GW的规模，一年时间可以成为行业前五。明年情况或不容乐观这并不是中国光伏企业的第一次扩产。2009年，中国光伏电池组件产能仅为6GW。在经历两年的扩产后，到
内企业的追逐。在日光照射较好的几个欧美国家，已通过了优惠的上网电价法，随着具有40%转换效率的Ⅲ-V族半导体多结太阳能电池的普及和成本下降，高倍聚光光伏电池市场进入快速增长期。与前两代电池相比，HCPV
及工艺制造、半导体封装、光学设计制造、自动化控制、机械设计制造、金属加工等领域。HCPV行业的产品包括了多结电池片外延材料、光电转换芯片、光接收器组件、聚光器、光伏模组、双轴跟踪器等。优势明显与硅基
成为未来光伏电池的主流产品之一。一、碲化镉薄膜太阳能电池概况一般而言，基于光吸收层材料体系的不同，薄膜太阳能电池主要分为硅基薄膜太阳能电池(如，非晶硅、微晶硅及多晶硅薄膜电池等)、化合物薄膜太阳电池(如
半导体，光吸收强，其禁带宽度与地面太阳光谱有很好的匹配，最适合于光电能量转换，可吸收95%以上的太阳光，是一种良好的太阳能电池材料。在各类薄膜光伏电池中，硅基薄膜光伏电池的转换效率最低，且存在光致衰减
一生的热爱：硅基太阳能电池。那个年代，大部分硅基半导体的前端工艺和封装理论都在慢慢成熟。掺杂，光刻，绝缘层，metallization都已经渐渐不是问题。因此TJ渐入佳境，在Gerald，James和
师伯William Shockley的指导下做出一系列优秀的可商用技术。为计算机的计算速度提升作出了重大贡献。然而，他的师兄Bob遇到了很多困难。因为大部分硅基半导体器件和工艺设计的方向都是高集成和低
侧重不同，TJ专注于逻辑器件，如SRAM, EEPROM等。而Bob则一直专注于老师Gerald一生的热爱：硅基太阳能电池。那个年代，大部分硅基半导体的前端工艺和封装理论都在慢慢成熟。掺杂，光刻，绝缘层
重大贡献。
然而，他的师兄Bob遇到了很多困难。因为大部分硅基半导体器件和工艺设计的方向都是高集成和低功率的方向，而太阳能电池作为功率半导体器件，不太容易被CMOS工艺的进步所帮助。有些看上去可用的
优势。但近年来，原料价格的急剧降低让晶硅电池的价格已经低于薄膜的平均售价。晶硅光伏电池与薄膜光伏电池对比两大阵营的代表公司汉能董事局主席李河君坚定的认为薄膜代表了光伏的发展方向，而晶硅是没落的光伏技术
路线。他认为，学薄膜技术出身的尚德电力创始人施正荣如果当时具备汉能的资金和全球技术整合能力，就不会选择做晶硅。汉能宣称，目前拥有的3GW产能（以硅基薄膜技术），平均转化效率已经达到10%。而2014年即将
