硅叠层器件

客户群体，这对今后的发展会有很多的帮助。薄膜电池业务还在筹备之中，技术已经基本准备好，为非晶微晶叠层的太阳能薄膜电池，正泰是全球范围内比较早进入高端多结薄膜太阳能电池领域的制造商，国内目前大部分
进入薄膜电池行业的企业都会选择单结非晶作为起点，工艺也比较简单。非晶微晶叠层的技术难度比较大，但产品功能更好，产品转换效率将会更高。初期的薄膜产品稳定后的转化效率为9%左右，在很短的时间内，期望通过工艺改善

的帮助。薄膜电池业务还在筹备之中，技术已经基本准备好，为非晶微晶叠层的太阳能薄膜电池，正泰是全球范围内比较早进入高端多结薄膜太阳能电池领域的制造商，国内目前大部分进入薄膜电池行业的企业都会选择单结非晶
作为起点，工艺也比较简单。非晶微晶叠层的技术难度比较大，但产品功能更好，产品转换效率将会更高。初期的薄膜产品稳定后的转化效率为9%左右，在很短的时间内，期望通过工艺改善会达到10%。我们团队的成员在

光伏生产商。 新罕布什尔州的Spire Semiconductor公司计划设计三结叠层太阳能电池，通过在砷化镓基板上生长不同的双面单元来实现。这家公司获得了297万美元的资助，用来优化器件层的

目完成后，总生产能力将超过1000兆瓦，年产值将超过200亿元，年创税近40亿元。 据了解，泉州金太阳公司与拥有“非晶硅/微晶硅叠层太阳电池”关键技术的南开大学光电子薄膜器件与技术研究

，总生产能力将超过1000兆瓦，年产值将超过200亿元，年创税近40亿元。 据了解，泉州金太阳公司与拥有“非晶硅/微晶硅叠层太阳电池”关键技术的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所2007年5月就

21.8 单结太阳电池InP太阳电池 4cm2 19.9 单结太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge
4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结太阳电池聚光电池GaAs太阳电池 0.07 24.6

技术，在经预先氟化处理的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜，该方法类似于沉积a-Si：H薄膜。在低温下用等离子增强化学气相沉积法（PELVD）沉积大面积多晶硅薄膜。 一般，p。型掺杂多晶硅薄膜用叠层技术

光致衰退的效果。 形成异质叠层太阳电他的材料的带隙必须有恰当的匹配才可能获得最佳的效果。目前流行的非晶硅锗为基础的异质叠层太阳电池较好的匹配带隙分别为1。8eV、1。6eV、1。4eV。除了

。 形成异质叠层太阳电池的材料的带隙必须有恰当的匹配才可能获得最侄的效果。目前流的非晶硅铐为基础的异质叠层太阳电池较好的匹配带隙分别为1．8eV、1.6eV、1.4eV。除匹配带隙的要求外，组成叠