硅原料

硅原料,索比光伏网为您提供硅原料相关内容,让您快速了解硅原料最新资讯信息。关于硅原料更多相关信息,可关注索比光伏网。

陕西渭南市太阳能产业发展规划(2016-2020年)来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2017-03-03 17:30:49

朝阳产业,也是我国战略性新兴产业的重要组成部分。近年来,我国光伏产业充分利用自身技术基础和产业配套优势快速发展,逐步取得国际竞争优势并不断巩固,目前已形成了从高纯硅材料、硅锭/硅棒/硅片、电池片/组件

杭州纤纳大面积钙钛矿太阳能电池组件效率率先突破15%大关!来源:索比光伏网 发布时间:2017-03-03 08:51:05

。钙钛矿材料不仅具有优异的光电性能,且原料丰富,成本低廉,其制造成本有望达到目前晶硅太阳能电池的1/3到1/5,显示出巨大的商业价值,也因此成为光伏界有史以来最大的一匹黑马。但此前主要的高效率单体钙钛矿

杭州纤纳大面积钙钛矿太阳能电池组件效率刷新世界纪录 光电转化效率达15.24%来源:科技传媒网 发布时间:2017-03-02 23:59:59

优异的光电性能,且原料丰富,成本低廉,其制造成本有望达到目前晶硅太阳能电池的1/3到1/5,显示出巨大的商业价值,也因此成为ink"光伏界有史以来最大的一匹黑马。但此前主要的高效率单体钙钛矿太阳能电池

【世界纪录】杭州纤纳大面积钙钛矿太阳能电池组件效率率先突破15%大关!来源: 发布时间:2017-03-02 17:50:59

优异的光电性能,且原料丰富,成本低廉,其制造成本有望达到目前晶硅太阳能电池的1/3到1/5,显示出巨大的商业价值,也因此成为光伏界有史以来最大的一匹“黑马”。但此前主要的高效率单体钙钛矿太阳能电池的

中国公司又破世界纪录啦! 杭州纤纳大面积钙钛矿太阳能电池组件效率率先突破15%大关!来源: 发布时间:2017-03-01 23:59:59

。钙钛矿材料不仅具有优异的光电性能,且原料丰富,成本低廉,其制造成本有望达到目前晶硅太阳能电池的1/3到1/5,显示出巨大的商业价值,也因此成为光伏界有史以来最大的一匹黑马。但此前主要的高效率单体钙钛矿

2016年光伏业热点回顾:爆发式增长是否不变初心?来源:索比光伏网 发布时间:2017-02-28 23:59:59

;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点,组件的串联电阻
低,转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片,使得进一步较大幅度降低成本成为可能;3)黑硅电池组件,黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素:第一,金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本,但传统的酸制绒

2017年2月多晶硅市场行情大稳小动来源:生意社 发布时间:2017-02-28 23:59:59

、国内行情市场分析产品:2月份国内多晶硅市场小幅上行,多晶硅市场价格上涨的原因主要在于下游电池组、硅片厂家装置全线开工,多晶原料订单较为集中,多晶硅厂家现货库存一般,供需面利好,多晶硅价格上涨。本月

累违初心,变脸破局 2016年光伏行业热点回顾来源:刘继茂 发布时间:2017-02-28 12:04:49

穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点,组件的串联电阻低,转换效率
高;并且可以适用于更薄的硅片,使得进一步较大幅度降低成本成为可能;3)黑硅电池组件,黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素:第一,金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本,但传统的酸制绒导致电池效率降低

特斯拉和华为的新战场:能源互联网来源: 发布时间:2017-02-28 11:57:59

其实是一样的,只不过发电的手段不太一样。Q:现在成本多少?A:光伏的成本一开始非常高,但是我们现在产能上来了,规模效应有了。而且,我们大量采用的硅这种半导体有一个特性就是规模经济,只要生产规模越来越大
瓜群众太多,我们不得不向社会去做科普:第一,因为技术的问题,光伏的生产用电以前最开始的时候(多晶硅提纯的时候)耗电量确实比较大,但是现在整个耗电成本越来越低了,同时光伏组件发电效率越来越高了。随着利用

累违初心,变脸破局,2016年光伏行业热点回顾来源:索比光伏网 发布时间:2017-02-28 11:53:36

Emitter and Rear Cell)电池通过在电池背面实行钝化技术,增强光线的内背反射,降低了背面复合,从而使电池的效率能够有效提高;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用
激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点,组件的串联电阻低,转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片,使得进一步