硅原子

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?光子公司?芳赢得太阳能标案来源:世纪新能源网 发布时间:2009-05-04 23:59:59

索比光伏网讯:由台湾?光电子转投资的?芳能源公司宣布,该公司已于24日标得行政院原子能委员会核能研究所之200kW高聚光型太阳能模块标案,预计于3个半月内完成。此标案属于政院原子能委员会核能研究所
昱晶能源供应硅晶太阳能模块予?芳能源开发低倍聚光太阳能模块系统(LCPV-Low Concentration Photovoltaic)。 ?芳能源将成为全球研究发展各类聚光型太阳能产品的领导厂商,使?光跨足新能源LED与太阳能光电双雄兆元产业布局更趋完整,巩固其于台湾地区绿色节能产业的龙头地位。

SPIE关注创新和新兴的太阳能光伏市场来源:Solarbe.com 发布时间:2009-03-31 19:15:40

显示(FPD)和光伏产业的类似摩尔定律。“FPD部分在过去9年内获得了极大的成长,”他补充说,这背后是同样驱动半导体产业生产力机制的摩尔定律。 晶硅和薄膜太阳能电池都需要降低每瓦成本。 (来源
本。” 太阳能也从半导体技术中获利。“有两种产生光伏电力的方法,一种是采用5寸或6寸的硅片,与半导体相似,每个硅片上制作二极管;几个硅片依次接在一起形成组件。”另一种是采用薄膜技术,将材料沉积在玻璃

改善太阳能电池,让纳米晶体不只产生一个电子来源: 发布时间:2009-03-23 10:15:59

的光子,产生的电子便会形成电流,过多的能量则会使材料晶格中的原子产生震荡也就是所谓的声子(phonons),最后以热的方式逸施,经由载子倍增则可以使过多的能量转换到材料晶格中其它的电子而产生电流,因此
子倍增现象可以在各种不同的纳米晶体中被观察到,包括硅。最近,有关载子倍增的研究发生了一些争论,他们发现与之前结果相反,特别是一些较低或被忽略的载子倍增效率,为了找出这些分歧,洛斯阿拉摩斯的研究员将之

联华林德:以创新解决方案让中国用户受益来源:光伏国际 发布时间:2009-03-10 11:43:33

– Generation F现场制造的氟气。 LEAP是指用高纯容器包装的液态有机金属先驱体,其用于先进的半导体制造工艺如原子层沉积(ALD)和金属-有机化学气相沉积(MOCVD)等。 林德独有
。其中的一些关键气体包括硅烷、三氟化氮、氢气和氮气的消耗量非常巨大。上述每种气体都要有一个不同的物流链来保障它的供应和频繁的配送。联华林德已经投资于能够实现不间断供应的解决方案以满足从单线生产到数百

未来太阳能光伏并网发电对电网的影响 来源:Solarbe.com 发布时间:2009-02-19 09:47:44

转换效率。并网逆变器采用最大功率跟踪技术,最大限度地把光伏电池转换的电能送入电网。 2 太阳能光伏电池板: 太阳能电池主要使用单晶硅为材料。用单晶硅做成类似二极管中的P-N结。工作
的效率,大约是光伏电池效率大约是单晶硅13%-15%,多晶硅11%-13%。目前最新的技术还包括光伏薄膜电池。(参考资料 12) 1839年,法国物理学家A.E.Becquerel在实验室

中国光伏发电的现状和展望(组图)来源: 发布时间:2009-02-01 10:45:59

。1954 年,第一块实用的硅太阳电池(η=6%)与第一座原子能发电站同时在美国诞生,1959 年太阳电池进入空间应用,1973 年能源危机后逐步转到地面应用。 光伏发电分为独立光伏系统和
,国内先后从国外引进了多条太阳电池生产线,除了一条1MW 的非晶硅电池生产线外,其它全是单晶硅电池生产线,使得我国太阳电池的生产能力猛增到4.5MWp/年,售价也由“七五”初期的80 元/Wp 下降

分析:晶硅电池片项目对光伏产业链的拉动来源: 发布时间:2008-12-29 09:42:59

,它生成一层减反射膜沉积在电池片表面。三氯氧磷用于在电池片的扩散过程中与氧气反应生成磷原子,磷原子又作为光伏电池的n型掺杂物,渗透到硅片表层形成PN结。同时它还广泛应用于制药、染化、塑胶助剂、表面活性剂

美军士兵将配太阳能装备来源: 发布时间:2008-12-17 14:27:59

, LightSpin, 麻省理工学院,加利福尼亚大学圣巴巴拉学院,罗切斯特大学和国家可再生能源实验室。传统的太阳能电池采取单层硅片,常规的高效率电池是采取多层硅片垂直叠压结构,以便有效地采集更多的阳光。垂直结构电池

加州大学开发更高效的聚合太阳能电池来源: 发布时间:2008-12-16 10:20:59

比以前更强的阳光吸收能力和转换能力。该研究小组发现,在聚合物的主干中用原子替代碳原子,能够显著提高聚合物材料的光电性能。这种包含矽杂环戊二烯的聚合物,也可以是结晶,作为高效率太阳能电池的组成部分有着

俄国用非晶态硅代替晶体硅制造全新太阳能电池来源: 发布时间:2008-12-09 15:46:59

:借助于很细的激光束在非晶态硅膜上建立“量子坑”。这个“量子坑”就是大小为2个纳米的原子结构段。它们相距10个纳米,严格地排列在薄膜表面。这些“量子坑”是人为地在非晶态薄膜表面形成的有序状态,性能类似于
非晶态硅代替太阳能电池中的昂贵的晶体硅或砷化镓半导体材料的基础研制成功的。在衬底上镀非晶态硅膜要比生长单晶硅膜便宜得多,同时在技术上更为简单。为了提高太阳能电池的有效系数,研究人员使用了新的技术工艺