硅原子

的气相薄膜生长技术，具有良好的保形性、均匀性和高的台阶覆盖率。通过原子层沉积氧化铝薄膜对晶体硅太阳能电池硅片进行表面钝化，可以增加载流子的有效寿命，从而大幅度提高太阳能电池整体的转换效率。ALD表面

。太阳能电池的时间平均输出是其峰值功率的15-20%;所以，50TWp的太阳能电池将产生7.5-10TW的平均输出，或2100年全球能量需求的～18%。在现今几乎所有的硅片太阳能电池中，用Ag作为n型
发射极上的指形电极，而Al用于作为p型基极上的背电极。硅片太阳能电池达到万亿瓦数量级的主要瓶颈之一是Ag的稀少。根据美国地质调查(U.S. Geological Survey)，地球上已知的Ag储量

索比光伏网讯: JAIST采用此次开发的工艺，在玻璃基板上制作出了pin型非晶硅太阳能电池。此前仅对i层采用此次的涂覆工艺、对p层及n层采用CVD法制作的电池单元，其转换效率为1.79%。而对pin
层全部采用涂覆工艺制作出的电池单元的转换效率则达到了0.51%。不过，此次的i层的膜厚为120nm，相对于已有非晶硅太阳能电池的250nm厚度来说还比较薄。如果能加大这一厚度，那么效率就有可能提高

索比光伏网讯:摘要：JAIST采用此次开发的工艺，在玻璃基板上制作出了pin型非晶硅太阳能电池。此前仅对i层采用此次的涂覆工艺、对p层及n层采用CVD法制作的电池单元，其转换效率为1.79%。而对
pin层全部采用涂覆工艺制作出的电池单元的转换效率则达到了0.51%。不过，此次的i层的膜厚为120nm，相对于已有非晶硅太阳能电池的250nm厚度来说还比较薄。如果能加大这一厚度，那么效率就有可能提高

前奏阶段， Scaff和Theuerer已经鉴别出了P型和N型区域，并且进行了精确的化学分析，使P型和N型区域的本质得到确定。随后，又发生了很多事情。原始的晶体管是一块从多晶上切割的锗做的，这使得对硅的
应用有所延误；同时，早期对单晶硅的紧迫的需求被贝尔实验室的管理层所拒绝，进一步拖延了硅的应用进展。幸亏，一位贝尔实验室的化学家Gordon Teal，一个天生孤僻的人，秘密地坚持对单晶制备工艺的执著

索比光伏网讯:作者:上海普罗新能源有限公司董事长 史珺博士 冶金法多晶硅今年将诞生世界上第一个万吨级年产能的企业,采用的是上海普罗的PM法。目前测算的成本将低于10美元/公斤,这当然将是硅材料产业和
光伏产业的一件大事。在冶金法多晶硅艰难而坚定地走向大规模产业化的同时，关于冶金法多晶硅的科学体系的建立也在紧锣密鼓地进行着,这与大规模工厂的建立有着同样重要的意义。冶金法多晶硅的科学体系当然属于硅

相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4，为反应气体，在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底

钽金属及合金制品、铌金属及合金制品、铍合金材料、钛金属及合金材料、碳化硅刃料和能源材料六大类产品。上述产品被广泛应用于电子、通讯、航空、航天、冶金、石油、化工、照明、体育、医疗、原子能、太阳能等领域
注册登记。注册资本为16，000万元。公司拥有51%股权的天威英利硅片年产能70兆瓦、电池60兆瓦、组件100兆瓦；公司拥有35.66%股权的四川新光硅业拥有1260吨多晶硅产能。　　2.英力特

(RIE)工艺，电池平均转换效率比过去提升了0.5%，最高效率达到17.90%。 黄河光伏的背钝化工艺采用原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在硅片背面形成氧化铝膜层
，然后再在该膜的基础上生长一层氮化硅膜进行保护。通过在背钝化膜层采用激光开孔工艺，结合背钝化铝浆和相匹配的烧结工艺，通过降低背面复合速率，提高该开路电压实现单晶电池转换效率的提升。 多晶硅