硅原子
多晶形式。据了解，目前科学家们正忙于寻找多晶硅的替代材料，而具有光伏特性的有机高分子材料则是其中主要候选者之一。
研究人员表示，在聚合物中加入氟原子可有效提高太阳能电池的效率。该方法被称为氟化反应，曾
依赖于电池价格的持续降低和其效率的不断提高。
引进新材料是改善太阳能系统的一种方式。在太阳能电池板中，将光能转化为电能所需的基本元件是光伏电池或太阳能电池，它们主要由多晶硅组成，多晶硅是一种硅的高纯度
产生场效应钝化作用，降低了硅片表面的缺陷密度，可以获得低的表面复合速率。
◎原子层沉积法
原子层沉积是将不同气相前驱反应物交替地通入反应器，在沉积基底上化学吸附并反应形成薄膜的过程，以限制
表面反应物的方式，将沉积过程控制在原子水平。以前驱体三甲基铝和水为反应物，经过一系列反应构成了一次ALD循环，在n型晶体硅表面沉积形成Al2O3薄膜，通过控制循环次数即可得到所需的薄膜厚度。原子层沉积的最大
掺杂工艺中，利用激光的热效应，熔融硅片表层，覆盖在发射极顶部的磷硅玻璃(PSG)中的磷原子进入硅片表层，磷原子在液态硅中的扩散系数要比在固态硅中高数个数量级。固化后掺杂磷原子取代硅原子的位置，形成重掺杂层
、水汽、氧化层，而且硅片表面要求具有原子级的平整度，硅片边缘的悬挂键以结氢终止。目前，由于硅片清洗技术的缺陷，大规模集成电路中因为硅材的洁净度不够而产生问题甚至失效的比例达到50%，因此优化硅片的清洗
凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学
恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅
摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
诱导电流测量了每个电池的外量子效率(eqe)。在460～1000nm波长范围内，同一电池片黑斑处与正常处的eqe相差较大，说明黑斑的出现与原生硅片缺陷无关，应归结于电池片生产过程中引入的杂质缺陷。给出
形成表面钝化。对AI2O3钝化硅表面的物理机制的理解重新激起了硅光伏研究界对PERC的研发兴趣。在前几年，得益于高产能光伏专用的基于多种沉积方法--例如空间原子层沉积(ALD)方法和等离子增强化学沉积
后的电池片进行热处理，结果如表4 所示。表5 为相同退火时间、不同退火温度时的电池片电性能参数。
由表4 可以看出，制作PERC 电池时，在对硅片表面进行ALD 原子层沉积Al2O3 后，需要再对
内容摘要
介绍了一种通过调整背钝化工艺改善多晶硅背钝化电池缺陷的方法。采用背钝化新型电池片工艺，在正常生产过程中EL会呈现有规律的区域发暗，严重影响电池片性能。本文通过优化PECVD工艺时间和退火
转换为四面体结构，产生间隙态氧原子，间隙态氧原子夺取p型硅中的价态电子，形成固定负电荷，使Al2O3薄膜显出负电性，在Al2O3/Si界面产生一个指向硅片内部的界面电场，使载流子可迅速逃离界面，降低界面
