硅光子
亚稳态，在短时间内会回到基态，这一过程中会释放波长为1100nm的光子，光子被灵敏的CCD相机捕获，得到硅片的辐射复合图像。 Fig.2-1光致发光 2.2电致发光(EL) EL与PL工作
和体内扩散，钝化硅中的悬挂键，这样使H的活性下降，使得光子在被复合前被收集，因此少子寿命会上升(如图3所示)。而两种环境退火时间越长，少子寿命上升斜率越大，这和文献研究结果相似，这也正是开路电压和短路
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
科学研究的单位之一。1985年，建立了浙江大学首个国家重点实验室高纯硅及硅烷国家重点实验室(现硅材料国家重点实验室的前身)。2007年，材料科学与工程学科被批准为国家重点一级学科。2014年7月，材料科学
和体内扩散，钝化硅中的悬挂键，这样使H的活性下降，使得光子在被复合前被收集，因此少子寿命会上升(如图3所示)。而两种环境退火时间越长，少子寿命上升斜率越大，这和文献研究结果相似，这也正是开路电压和短路
摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
因为太阳电池的光生电流密度Jph由光子流密度F() 和光谱响应SR() 决定：
通过Panek P 的研究，测试并对比不同电阻率电池的光谱响应发现，高电阻率硅片制备的太阳电池在600～1100
本文将电阻率为0.2～4 cm 的掺镓硅片分别制备成常规铝背场电池和PERC 电池，并对电池的少子寿命、电性能参数和光致衰减进行测量，研究了电池性能的差别，为掺镓硅片投入工业化生产提供了参考
排序)
1 阿特斯阳光电力集团有限公司
2 北京光子国际会展服务有限公司(索比光伏网)
3 北京金鸿泰科技有限公司
4 北京景成瑞盛新能源技术有限公司
5 北京七星华电科技集团有限责任公司
有限公司
23 杭州桑尼能源科技股份有限公司
24 杭州市太阳能光伏产业协会
25 杭州之江有机硅化工有限公司
26 横店集团东磁股份有限公司
27 湖北晶星科技股份有限公司
28 湖南省
平滑表面的沉积效果最佳。由于电池背面并不主动参与光的吸收，也不直接捕捉光子，所以去除背绒面不会造成损失。根据传统的扩散方法，硅片将单面或双面掺杂。一旦磷出现在背面，就必须被除去。
除非采用激光边缘隔离
提升效率和发电能力的潜力。通过与多主栅、选择性发射极和TOPCon等技术的叠加，PERC电池效率可以进一步提升;组合金刚线切割和黑硅技术，可以提高多晶电池性价比。而双面PERC电池在几乎不增加成本的
硅片清洗作为制作光伏电池和集成电路的基础，非常重要，清洗的效果直接影响到光伏电池和集成电路最终的性能、效率和稳定性。硅片是从硅棒上切割下来的，硅片表面的多层晶格处于被破坏的状态，布满了不饱和的悬挂键
波长的变化趋势相近，表明黑斑的产生原因与原生硅片的质量无关。从图6可以看出，在中波段，黑斑小样片的量子效率比正常电池片的低5%左右。外量子效率与电池的活性层对光子利用率以及光的反射、透射等有关，由于
摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
受益于氧化铝钝化硅表面技术的革新，最近钝化发射极和背表面电池(PERC: Passivated Emitter and Rear Cell)概念在硅光伏工业领域显示出了复苏迹象，并推动了P型太阳能
级单晶硅片(单晶硅)的应用，同时，太阳能电池转换效率在过去两年间突破了20%。而晶澳太阳能通过对工业化生产级别的PERC太阳能电池的不断研发，只需对现有传统背表面场(BSF)电池生产平台稍作改进，便能
