硅串联结构

太阳电池、多晶硅太阳电池、带状硅太阳电池、球状多晶硅太阳电池，而单晶硅和多晶硅电池是目前市场上的主流产品。 单晶硅太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，是当前开发很快的一种太阳电池，它的结构和生产工艺已定型，产品

晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池的主体结构为晶体硅材料，前表面印刷了栅线状的银作为负电极，分主栅线和细（子）栅线；而背面除了2根银电极外，其余都是铝，我们称之为铝背场，由丝网印刷铝浆料，在800多度

晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池的主体结构为晶体硅材料，前表面印刷了栅线状的银作为负电极，分主栅线和细（子）栅线；而背面除了2根银电极外，其余都是铝，我们称之为铝背场，由丝网印刷铝浆料，在800多度的

结，电子空穴对就越容易被拆开。图2-2：理想电子短路电流通过p-n结。图2-3：可能的电子空穴对复合，没有复合的载流子收集。 3.0铝背场的作用晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池的主体结构为晶体硅材料，前

容易使散热片被腐蚀。三、分类接线盒主要有两种类型：普通和灌封两种。普通接线盒采用硅胶密封圈密封，灌胶接线盒则采用双组分硅胶填充来灌封，普通接线盒应用较早，操作简单，但是密封圈使用年限较长时易老化。灌封
接线盒操作较复杂（需要填充双组分硅胶，并固化），但密封效果好，耐老化，能保证接线盒密封长期有效，且价稍便宜。注：灌封装接线盒以前一般用于薄膜组件，但是目前如尚德、阿特斯等也将其应用与晶体硅组件。接线盒

电池和叠层太阳能电池。目前非晶硅太阳能电池的研究取得两大进展：第一、三叠层结构非晶硅太阳能电池转换效率达到13％，创下新的记录；第二.三叠层太阳能电池年生产能力达5MW。美国联合太阳能公司（VSSC）制

半导体的系数n2 的算术关系式是：如图3.3 示：表面反射在这种状况下能减少至0。图3-3：在波长为0.6 微米处的硅表面的减反射膜的关系（iii)表面结构也可以用来减少光的反射。任何表面的粗加工（绒面
）都可以用来增加光在表面来回反射的机会，来减少光的损失。晶体硅的表面结构沿着晶面课蚀的方向是均一的。硅表面的晶体结构由晶粒方向决定，沿中心原子的排列关系适当的话，如图3.4 示。图3-4：一个

。1.1、封装组件是这样生产出来的：将一定数量的电池片按一定的工艺排列、串联起来，然后用两层EVA将其上铺下盖包起来，再用玻璃和背板将EVA及电池片保护起来，然后通过层压机，利用EVA的热熔性将以
aNIS六方晶系转变为低温状态BNI三方晶系过程中，伴随出现2.38%的体积膨胀。这一结构在室温时保存下来。如果以后玻璃受热就可能迅速出现aB态转变。如果这些杂物在钢化玻璃受张应力的内部，则体积膨胀会引起

99%，MPPT效率做到98%到99.9%，单机最大功率现在有2.5兆瓦，电路结构主要目前是以两电平为主少量为三电平，冷却方式风棱为主，少量为自冷，液冷，功率器件以IGBT为主，（英文）为辅，少量的
碳化硅器件，在工信部支持下，最近碳化硅器件国产也有些突破。现在目前电压等级在1000伏以内。 产业的情况，目前依然是SMA是全球的逆变器的龙头老大，ABB收购了（英文），是目前的第二。阳光逆变器