主要设备:CZ生长炉
CZ法生长炉的组成元件可分成四部分
(1)炉体:包括石英坩埚,石墨坩埚,加热及绝热元件,炉壁
(2)晶棒及坩埚拉升旋转机构:包括籽晶夹头,吊线及拉升旋转元件
)加料:将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内,杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼,磷,锑,砷。
(2)熔化:加完多晶硅原料于石英埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定
99.999999999%,11 个 9)熔融于石英坩埚中,然后把晶种插入液面,以每分钟 2 ~ 20 转的速率旋转,同时以每分钟 0.3 ~ 10 毫米的速度缓慢的往上拉引,如此即可形成一直径 4
个9)熔融于石英坩埚中,然后把晶种插入液面,以每分钟2~20转的速率旋转,同时以每分钟0.3~10毫米的速度缓慢的往上拉引,如此即可形成一直径4~8吋单晶硅碇,此制作方法称为柴氏长晶法
。合资不能失去国格、人格。我们并没有把自己绑在松宫这一辆马车上,除了单晶硅生产这个主业外,又投入资金建立了晶隆半导体厂、高纯度石墨件、石英坩埚、单晶硅炉以及相关的配置生产企业,极大地增强了自身的生命力