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制备Cd1-XZnXS来代替CdS,以改善小层的电子亲和力和降低界面态数目。 由于喷涂法制备Cu2S/CdS(Cu2S/Cd1-XZnXS)薄膜太阳电池,不采用真空设备,使工艺得到简化用电子束蒸发制备CdS薄膜,改进了电子束蒸发设备,避免了在蒸发过程中CdS粒子飞溅。采用常规氯化亚铜浸泡法形成Cu多层,从而构成Cu2S/CdS太阳电池,电池最佳转换效率为6.2%。 真空