直拉

，最终也可能无法伴随成本的下降。按照中环股份方面的对外介绍，中环股份核心的技术优势是将制造单晶硅片传统的直拉（CZ）技术与公司固有的区熔（FZ）技术成功耦合成其独创的直拉区熔技术（CFZ），在实验室
于传统直拉单晶和多晶技术提升了效率，但由于其工艺多出了一道工序，则相应增加了设备的产能利用率以及单位单晶硅片的生产能耗。这个道理直观来讲，以前一台炉子能熔炼出一定量的硅片，现在需要两台炉子，产能就

单晶硅炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备，亦被称作单晶硅生长炉。单晶硅炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径

单晶硅炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备，亦被称作单晶硅生长炉。单晶硅炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径

GT Advanced Technologies Inc.近日宣布，其公司专有的新一代HiCz连续加料直拉技术赢得了一个新项目，可望促进太阳能产业向更高效率及更低成本的太阳能材料过渡。 公司与
n型太阳能电池片。HiCz是GT专有的新一代光伏行业的单晶直拉炉，可生产p型及n型单晶晶棒。 HiCz连续加料长晶工艺比传统的间歇式Cz熔炉更具明显优势，使得其更适合n型硅锭生产。HiCz长晶工艺生产

GT Advanced Technologies Inc.（纳斯达克代码：GTAT）今日宣布，公司专有的新一代HiCz连续加料直拉技术赢得了一个新项目，可望促进太阳能产业向更高效率及更低成本的
200熔炉可望生产效率超过22%的优质n型太阳能电池片。 HiCz是GT专有的新一代光伏行业的单晶直拉炉，可生产p型及n型单晶晶棒。 HiCz连续加料长晶工艺比传统的间歇式Cz熔炉更具明显优势

前三甲的SunPower。与SolarCity一样，SunPower的电池、组件，也是基于中环股份高效N型单晶硅片生产。根据中环股份发布的公告，公司具有自主知识产权的直拉区熔技术（即CFZ），可以生产
应用直拉和区熔融合工艺实施于转换效率达到24%-26%的CFZ单晶硅片的产业化。而产业化也将推动CFZ单晶硅片从试生产和小规模生产到规模化生产，并逐步的降低成本。随着2013年中环股份主营业务出口同比

，SunPower的电池、组件，也是基于中环股份高效N型单晶硅片生产。根据中环股份发布的公告，公司具有自主知识产权的直拉区熔技术（即CFZ），可以生产出转换效率达到24%‐26%的N型单晶硅片。这一数据较目前在
中环股份公布的增发预案，公司拟募资不超过30亿元，用于CFZ单晶用晶体硅及超薄金钢石线单晶硅切片项目以及CFZ区熔单晶硅及金刚石线切片项目。 　　通过募投项目的投产，中环股份拟实现应用直拉和区

索比光伏网讯:GTAdvancedTechnologiesInc.（纳斯达克代码：GTAT）17日宣布，公司专有的新一代HiCz连续加料直拉技术赢得了一个新项目，可望促进太阳能产业向更高效率及更低
22%的优质n型太阳能电池片。HiCz是GT专有的新一代光伏行业的单晶直拉炉，可生产p型及n型单晶晶棒。HiCz连续加料长晶工艺比传统的间歇式Cz熔炉更具明显优势，使得其更适合n型硅锭生产。HiCz长晶

高效电池市场渗透率提高,高毛利的N型硅片出货比例有望持续上升,在未来改善公司业绩。公司CFZ技术是适用高效电池理想硅片技术之一。公司自主研发的CFZ技术兼具区熔和直拉硅片的特点,具有片间参数高斯分布