直拉

直拉法硅片，集成正反面钝化及反光衰等先进的工业钝化发射极触点电池技术。 在多晶PERC上，2015年11月，天合光能大面积P型多晶硅PERC太阳电池光电转换率达到21.25%，创造了新的世界纪录

元/公斤的业内最低成本，可以看出GCL工艺法的优势。 除了现有工艺技术领先，保利协鑫还掌握着下一代多晶硅料和单晶硅料的工艺技术。多晶硅料的FBR颗粒硅技术，还有单晶硅料的CCZ连续直拉单晶技术，皆为

。 多晶硅料的FBR颗粒硅技术，还有单晶硅料的CCZ连续直拉单晶技术。 都是目前全球只有保利协鑫才有的独门技术，也是只有保利协鑫实现了量产化。 具有极强的技术壁垒。 光伏产业是一个以技术作为核心

技术领先之处。大家此刻看到的设备就是单晶炉，通过率先研发并应用生产的RCZ技术(重复投料直拉单晶)持续的多次加料、高拉速不仅切实提高生产效率，而且降低生产成本效果显著。同时智能化的单晶炉控制系统，还极大

摘要：相比于直拉单晶硅，定向凝固铸造法生产的晶体硅材料具有更好的性价比，但含有较多的杂质、位错等晶体缺陷。更高品质、更低成本的太阳能电池始终是业界追寻的目标。本文以传统铸造法生长多晶硅技术为基础

工学博士点。从上世纪50年代开始，浙江大学在硅烷法制备多晶硅提纯技术、掺氮直拉硅单晶生长技术基础研究等取得系列重大成果，在国际上占有独特的地位;同时，实验室一直坚持产、学、研紧密结合，取得显著经济效益。同时，该实验室是国内硅材料基础研究、技术开发和人才培养的主要基地。

多晶硅片的市场份额更进一步降低。 有人可能会说，铸造单晶成品率有望获得突破，可以碾压直拉单晶。即便铸造单晶获得突破，碾压直拉单晶，那也是单晶硅片，只不过是有别于直拉单晶的铸造单晶。目前多晶硅片不仅要

硼Cz-Si太阳电池的光衰减问题，如图1所示。该研究表示1cm掺硼直拉硅电池在光照一段时间后电池性能衰减较为明显;随光照时间的延长，衰减趋于稳定达到饱和值;后在一定温度光照一定时长后，电池性能得到完全
原因所在。 4)采用磁控直拉硅单晶技术或降低硼的掺杂浓度。 磁控直拉硅单晶技术已经在生产中得到较好的应用，已证明其不仅能良好的控制直拉硅单晶中的氧含量，且能有效改善硅单晶电阻率的均匀性，但需提供

太阳能光伏材料中的硅材料经过20年发展，在国际上多晶硅占了50%，电池，组件占了60%以上，成为了名副其实国际光伏大国。通过先进技术应用，使得我们直拉硅晶体成本，能耗大幅度降低。今后直拉硅晶体还有挑战