直拉单晶

(ALD)/90nm　SiOx(PECVD)叠层钝化的电池效率也达到了21.3%。文献中首次将Al2O3钝化用于125mm125mm大面积3cm　P型直拉单晶硅上，采用15nmAl2O3(ALD
两者的优化，制备出了宽光学带隙、高电导率和致密性较好的P型非晶硅材料。作为窗口层应用到HIT太阳电池中，对其厚度进行优化，在n型单晶硅衬底上制备出了效率为14.28%的HIT太阳电池。文献中何悦等利用热

1、PERC电池技术的转化效率 光电转换效率是晶体硅太阳电池最重要的参数。 2017年，我国产业化生产的常规多晶硅电池转换效率达到18.8%，单晶硅电池转换效率达到20.2%。 与常规电池
更高。 目前，PERC技术成为P型电池效率继续提升的主要方法，但PERC技术应用在多晶及单晶电池片上的效率表现有所差异。单晶电池产线在导入PERC技术后，可使转换效率绝对值提升1%以上，即单晶

元/公斤的业内最低成本，可以看出GCL工艺法的优势。 除了现有工艺技术领先，保利协鑫还掌握着下一代多晶硅料和单晶硅料的工艺技术。多晶硅料的FBR颗粒硅技术，还有单晶硅料的CCZ连续直拉单晶技术，皆为

。 多晶硅料的FBR颗粒硅技术，还有单晶硅料的CCZ连续直拉单晶技术。 都是目前全球只有保利协鑫才有的独门技术，也是只有保利协鑫实现了量产化。 具有极强的技术壁垒。 光伏产业是一个以技术作为核心

技术领先之处。大家此刻看到的设备就是单晶炉，通过率先研发并应用生产的RCZ技术(重复投料直拉单晶)持续的多次加料、高拉速不仅切实提高生产效率，而且降低生产成本效果显著。同时智能化的单晶炉控制系统，还极大

摘要：相比于直拉单晶硅，定向凝固铸造法生产的晶体硅材料具有更好的性价比，但含有较多的杂质、位错等晶体缺陷。更高品质、更低成本的太阳能电池始终是业界追寻的目标。本文以传统铸造法生长多晶硅技术为基础
，介绍了目前几种主流的晶体硅铸造工艺方法，包括全熔工艺制备多晶硅锭，半熔工艺生长高效多晶硅锭，以及铸造法制备大尺寸单晶硅锭。另外，本文还从硅锭外观和性能等方面阐述了铸造法晶体硅的发展方向。文中数据部分

工学博士点。从上世纪50年代开始，浙江大学在硅烷法制备多晶硅提纯技术、掺氮直拉硅单晶生长技术基础研究等取得系列重大成果，在国际上占有独特的地位;同时，实验室一直坚持产、学、研紧密结合，取得显著经济效益。同时，该实验室是国内硅材料基础研究、技术开发和人才培养的主要基地。

多晶硅片的市场份额更进一步降低。 有人可能会说，铸造单晶成品率有望获得突破，可以碾压直拉单晶。即便铸造单晶获得突破，碾压直拉单晶，那也是单晶硅片，只不过是有别于直拉单晶的铸造单晶。目前多晶硅片不仅要

原因所在。 4)采用磁控直拉硅单晶技术或降低硼的掺杂浓度。 磁控直拉硅单晶技术已经在生产中得到较好的应用，已证明其不仅能良好的控制直拉硅单晶中的氧含量，且能有效改善硅单晶电阻率的均匀性，但需提供