直拉单晶

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保利协鑫荣膺“2018全球新能源500强科技创新企业”来源:索比光伏网 发布时间:2018-12-17 10:05:49

取得重要突破。新投产的6万吨新疆多晶硅基地导入半导体级多晶硅工艺,生产成本和品质显著优于国内外同行,而且单条装置设计和单体能力全球最大,100%满足连续直拉单晶需求。而江苏中能基地通过十几年的稳定运行和
组件(60片)可以封装到310W,光衰比Cz单晶产品低0.5%以上,实现与直拉单晶同瓦输出,而成本大幅降低。当前,保利协鑫正在致力于将半导体级高纯多晶硅、FBR硅烷流化床法颗粒硅、CCz连续直拉单晶等前沿

靳保芳:从3台单晶炉到全球第三来源:光伏领跑者创新论坛 河北日报 发布时间:2018-12-04 17:48:16

将一个最初仅有3台单晶炉、十几个人的作坊式小厂,发展成为拥有30多家控股公司和子公司,出货量全球第三的新能源制造企业,这件事看起来是痴人说梦,然而,在现实生活中,就有这么一个人,化腐朽为神奇,将
哪里去?靳保芳打算做点副业安置他们,但尝试了多种行业,都不太成功。于是他琢磨:不能跟在人家屁股后面跑,要干就干高科技的。 这时,一个偶然的机会,靳保芳听说河北工业大学有个用中子嬗变掺杂直拉硅技术生产

续写光伏梦,打造中环“芯”来源:联讯证券 发布时间:2018-12-04 14:12:56

业务及市场同样诱人的半导体业务上。 大硅片项圄逐步落地,为后续增长提供动能公司大直径区熔硅单晶技术已经产业化,8英寸区熔硅片实现量产。内蒙地区建立了8-12英寸半导体直拉单晶研发、制造中心扩充大直径直拉

新赛维铸锭优势彰显 高效铸锭单晶405瓦组件示范电站成功并网发电来源:索比光伏网 发布时间:2018-12-03 10:14:21

系列的转换效率与直拉单晶的差距仅在0.3%左右,而成本要低20%,充分满足了市场对高效产品的需求。 铸锭单晶多方面的产品优势,推动其有望成为光伏下一个技术风向标和市场新宠。为满足

京运通与GTAT签署CCZ给料机系统许可协议来源:光伏前沿 发布时间:2018-11-30 10:36:10

Czochralski 直拉单晶炉结合使用的连续Czochralski 给料机系统(以下简称CCZ 给料机系统)。 交易金额:北京京运通科技股份有限公司(以下简称公司或京运通)向 GT Advanced
120cm 型号 Czochralski 直拉单晶炉(包括直径在 110cm-140cm 范围内的)的结合体),需向 GTAT支付技术使用费。 本次交易未构成关联交易。 本次交易未构成重大资产重组

协鑫新疆6万吨多晶硅基地稳定提产 国标一级品已超97%来源:能源一号 发布时间:2018-11-30 08:58:09

多晶硅生产工艺,品质达到9-11个9,完全可满足N型单晶及CCZ的直拉单晶需求。在世界新能源的征战中,公司不仅提升了国产创新能力,也树立了极强的创新自信心。 新疆基地6万吨产能仅有800余名员工,是

硅材料龙头致力行业标准 保利协鑫荣获中国光伏行业协会突出贡献奖来源:索比光伏网 发布时间:2018-11-24 18:04:12

的新疆基地导入半导体级多晶硅生产工艺,产品100%满足连续直拉单晶的用料需求。新疆基地注重工艺技术与设备选型的匹配,减少能源消耗,并且自主研发物料回收工艺,变废为宝,达到零排放。 (新疆协鑫
+PERC技术叠加助力多晶组件(60片)功率全面超越300瓦。此外,保利协鑫储备多年的铸锭单晶技术迎来产业化,产品兼具多、单晶技术优点,组件(60片)可以封装到310瓦,而成本大幅降低,将为客户带来更多

第14届CSPV优秀论文名单公布!隆基、天合、CSA、中检南方、上海交大、中来、福斯特、晶银等上榜!来源:光伏测试网 发布时间:2018-11-22 14:45:28

部分优秀报告摘要 一种在直拉单晶硅生长过程中实时监测结晶界面形状的方法 完成人:西安交通大学 丁俊岭、刘立军 在直拉单晶硅的生长过程中,结晶界面形状对于晶体质量有显著影响,结晶界面

技术驱动光伏产业变革 新赛维自主知识产权打造核心竞争力来源:索比光伏网 发布时间:2018-11-20 15:02:45

发布高效铸锭单晶硅片赛单晶青山系列,其转换效率与直拉单晶的差距仅在0.3%左右,而成本要低20%,充分满足了市场对高效产品的需求。赛维同期推出的高效铸锭单晶电池赛单晶电池绿水系列,其平均效率高达21.3

一文看懂单、多晶电池光衰原理来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2018-11-19 08:58:20

1.晶硅组件的光衰 硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现,该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出
相关,同时也与金属杂质相关。 B-O引起的光衰经过一段时间的光照可有一定程度的恢复,如P型单晶硅组件在最初户外运行的2~3个月,会经历较明显的衰减与部分恢复过程,商业化产品首年的