电耗

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2011年江苏中能硅业科技发展有限公司公司债券募集说明书来源: 发布时间:2011-11-14 23:59:59

每期规模大于3,000吨/年,半导体级多晶硅项目规模大于1,000吨/年;新建多晶硅项目生产占地面积小于6公顷/千吨。现有多晶硅项目应当厉行节约集约用地原则;太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克
,到2011年底前小于60千瓦时/千克;半导体级直拉用多晶硅还原电耗小于100千瓦时/千克,半导体级区熔用多晶硅还原电耗小于120千瓦时/千克;还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5

12上市公司入选首批太阳能多晶硅准入企业名单来源: 发布时间:2011-11-11 10:29:14

中最低资本金比例不得低于30%,环境条件要求高的区域周边1000米内不得新建多晶硅项目,太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年,太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克等。这对太阳能多晶硅行业提出

首批多晶硅准入企业名单将公布来源:Solarbe.com 发布时间:2011-11-11 09:24:17

比例不得低于30%,环境条件要求高的区域周边1000米内不得新建多晶硅项目,太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年,太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克等。这对多晶硅行业提出了严格的准入

冷氢化技术——降低多晶硅成本的又一利器来源:Solarbe.com 发布时间:2011-11-09 13:06:13

多晶硅因生产过程中产生的副产品四氯化硅有剧毒和腐蚀性,加之生产所需电耗极高,该行业在早年被视作高耗能高污染行业。而冷氢化技术就是将四氯化硅在低温高压环境下转化为三氯氢硅。这样不仅可避免
环境污染,生产多晶硅的另一重要原材料三氯氢硅也可在制造过程中循环产生。三氯氢硅差不多能占到多晶硅生产成本的27%上下,是除去电耗和折旧之后最主要的成本。国内冷氢化技术在降低生产成本上最著名的例子就是保利协鑫

我国太阳能极多晶硅技术装备取得巨大进步来源: 发布时间:2011-11-07 13:22:16

大约2000千克/炉,个别炉次甚至达3400千克/炉,24对棒还原炉炉产量个别炉次超过4000千克/炉,使我国西门子法装置系统综合电耗不断下降,2005年平均电耗300~400千瓦时/千克硅,降低到目前
200千瓦时/千克硅,部分骨干企业能耗指标已接近国际先进水平160~180千瓦时/千克硅。目前还原电耗已降低到60千瓦时/千克硅。其三是对引进的SIC14热氢化技术和设备作了进一步的改造,调整了工艺参数

昱辉阳光副总裁:发展多晶硅将是长期战略来源: 发布时间:2011-11-04 10:55:29

通过技术手段来改善。你怎么看待未来单晶硅的应用前景?TonyHung:除了光致衰减,单晶硅的老问题是:需要比较多的生产时间、比较多的员工、比较多的电耗、卖得也比较贵。之前大家不太看好,今年又特别
工艺方案,委托国内厂商生产;还原炉的硅棒数量将由一期工程的12对增加到36对,还原电耗比目前(12对棒的还原炉)至少降低23%;6.由于采用了冷氢化技术,二期工程不再需要设置专门的三氯化硅(TCS

简水生:目前光伏行业面临两大问题来源: 发布时间:2011-11-04 09:59:59

。太阳能电池板生产在中国的扩张尤其迅猛,国家有关部门已经对新能源产业存在泡沫的现象提出了警告。多晶硅是信息产业和光伏产业的基础材料,属于高耗能和高污染产品。从生产工业硅到太阳能电池全过程综合电耗约220万千

专访昱辉阳光副总裁:发展多晶硅将是长期战略来源:i美股 发布时间:2011-11-04 08:52:32

光致衰减,单晶硅的老问题是:需要比较多的生产时间、比较多的员工、比较多的电耗、卖得也比较贵。之前大家不太看好,今年又特别看好,我相信行业的未来还是准单晶(比如昱辉阳光的Virtus)。   i美股:据台湾
及工艺方案,委托国内厂商生产;还原炉的硅棒数量将由一期工程的12对增加到36对,还原电耗比目前(12对棒的还原炉)至少降低23%;   6. 由于采用了冷氢化技术,二期工程不再需要设置专门的三氯化

“煤”与“光伏” 从来就未成落幕的搏弈来源: 发布时间:2011-11-04 08:46:11

中国的扩张尤其迅猛,国家有关部门已经对新能源产业存在泡沫的现象提出了警告。多晶硅是信息产业和光伏产业的基础材料,属于高耗能和高污染产品。从生产工业硅到太阳能电池全过程综合电耗约220万千瓦时/兆瓦。我国

太阳能光伏要“洗牌” 中小企业“寿命到限”来源:Solarbe.com 发布时间:2011-10-25 14:23:26

。 此外,太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克,到2011年底前小于60千瓦时/千克。到2011年底前,淘汰综合电耗大于200千瓦时/千克的太阳能级多晶硅生产线。 若严格按照《准入条件