电流密度

无短路率IGBT提供更高的VCE(on)和更高的ETS。这样，有短路率要求的IGBT的功率损耗会更大，从而降低电源逆变器的效率。 除了能在相同封装内提供更低导通和开关损耗、更大的电流密度外，超快速沟道型IGBT可以提供正方形反向偏置工作区和175°的最大结点温度，并能承受4倍的额定电流。

。 　　转换效率为18.2%的单元，其开放电压为642mV，短路电流密度为6.2mA/cm2，面积为243.34cm2。转换效率为17.6%的模块，其开放电压为38.3V，短路电流为8.94A，采光面积为1.4701m2。另外，从整个模块的面积(1.6075 m2)来看，模块转换效率为16.1%。

Frontier）。采光面积为839cm2，短路电流密度（Jsc）为32.4mA/cm2，单位单元的开路电压（Voc）为688mV，填充因子（FF）为0.731。 　　Solar Frontier此次

。 　　而另一方面，短路电流密度约为10μA/cm2，比普通结晶Si太阳能电池的数值小3个数量级。原因之一是“电池单元是与电极分离的，连接这两者的p型GaN的电阻非常大”（园田）。这是因为目前还不

Materials and Solar Cells中。研究小组测量有银纳米粒子与没有银纳米粒子的高分子太阳能电池的光吸收量与电流密度-每平方厘米所产生电流量。没有银纳米粒子的太阳能电池，每平方厘米产生6.2

×1.1m的串联结构薄膜硅型太阳能电池，稳定后的转换效率为12.1％。开路电压（Voc）为1.4V，电流密度为12.6mA/cm2，填充系数（Fill Factor）为0.69。 　　LG电子结晶硅

比特征，能进一步提高电流密度和电池的填充因数。” 链接：http://www.pvsociety.com/article/353921-New_Silver_Paste_Boosts_Silicon_PV_Cell_Efficiency.php

，该公司通过应用降低单元表面反射率的蜂窝结构（Honeycomb Texture）等，使转换效率达到了18％。开放电压（Voc）为643mV，短路电流密度（Jsc）为38.03mA/cm2，曲线因子（FF

％，开放电压（Voc）为0.88V，短路电流密度（Jsc）为10.6mA/cm2，形状因子（FF）为0.66。以上是在AM（空气质量）为1.5G，光线入射强度为100mW/cm2的条件下测量的结果。(编辑:xiaoyao)

％。 　　具体的测量值如下，转换效率为6.1％，开放电压（Voc）为0.88V，短路电流密度（Jsc）为10.6mA/cm2，形状因子（FF）为0.66。以上是在AM（空气质量）为1.5G，光线入射强度为100mW/cm2的条件下测量的结果。（记者：野泽 哲生）