电池钝化技术

就可以预测，而且不被接触面积的大小限制只会受温度的影响。所以，背场的形状不仅影响了串联电阻的损失，而且会影响硅铝接触形成的过程，另外，快速冷却会导致柯肯特尔空洞而不是产生共晶层。 太阳能电池的背钝化
技术有效地提高了电池的效率，但是在丝网印刷中对铝粉浆和硅之间的接触的优化所起的作用是微不足道的，而且需要更深地理解金属半导体之间的接触效应。事实上，当串联电阻减少时，接触面积和指间距的配合是一个至关重要

受温度的影响。所以，背场的形状不仅影响了串联电阻的损失，而且会影响硅铝接触形成的过程，另外，快速冷却会导致柯肯特尔空洞而不是产生共晶层。太阳能电池的背钝化技术有效地提高了电池的效率，但是在丝网印刷中对铝粉

Fischer对ITRPV的内容和意义做了详细的介绍。ITRPV关注三个主要领域：材料、工艺、产品。在这些领域里，ITRPV分别具体描述了硅片、电池、组件等技术发展、演变趋势。Canadian Solar的
。Elektronik的Axel Metz, h.a.l.m介绍了报告中的产品和系统部分。报告包括切割类型、电池效能、组建功率、电池技术等内容。Hanwha Q-Cells的Markus Fischer总结到，ITRPV

了最新的PERC（背钝化技术）电池技术，使电池的转换效率获得大幅提高，平均转换效率达到了20.3%。并且Hipro单晶组件具有弱光发电优势。60片产品功率可达285W+，较传统组件提高了15W。根据

钝化电池，Passivated emitter rear cell）技术。除了台湾厂商最积极扩产外，包含中国的阿特斯、晶科、天合、晶澳等都陆续增加PERC产能，其他非两岸的则以Solarworld
。EnergyTrend预估进入2015下半年前，硅片的出货会有明显上升，但价格的变化仍旧视多晶硅的价格变化而定。而单晶的价格滑落预计可以再次带动终端的单晶组件需求。电池片端的焦点仍是在于PERC（背

太阳能产业及光伏工程（上海）展览会（SNEC PV Power Expo 2015），包括用于太阳能电池正面和背面钝化的VCS 1200垂直真空镀膜系统，以及LAS 2400 激光开孔技术。该展会于4月28

PERC（背钝化电池，Passivated emitter rear cell）技术。除了台湾厂商最积极扩产外，包含中国的阿特斯、晶科、天合、晶澳等都陆续增加PERC产能，其他非两岸的则以
。EnergyTrend预估进入2015下半年前，硅片的出货会有明显上升，但价格的变化仍旧视多晶硅的价格变化而定。而单晶的价格滑落预计可以再次带动终端的单晶组件需求。 电池片端的焦点仍是在于

采用5 Bus bars(5BB)技术和背钝化技术;降低串联电阻，降低功率损耗;具有更高的开路电压和电流，增加吸收光能能力，提高组件的转换效率和功率。组件功率可达290W，转换效率可达17.7
%。 保利协鑫鑫多晶S4高效硅片 展会期间，保利协鑫发布新一代高效多晶硅片产品鑫多晶S4，通过先进的共掺杂技术提升性能，有效降低组件光衰，与上一代产品相比，能够让电池片效率再提升0.2个

将其标准电池生产线转换成高效率PERC电池生产线，提高盈利并降低生产成本。Manz新一代生产工艺采用VCS 1200垂直真空镀膜系统在电池背面沉积电介质钝化层，结合LAS 2400激光开孔技术，可帮助