之一。
中国科学院化学研究所分子纳米结构与纳米技术院重点实验室文锐课题组致力于锂电池界面电化学过程的原位研究并取得系列进展。在前期工作中,他们利用氩气环境下的原位原子力显微镜(AFM),在以+-为
电化学AFM及谱学分析表征,实现了在锂硫充放电过程中还原产物硫化锂和过硫化锂在界面形貌演变及生长/溶解过程的原位监测(图1),并提出过硫化锂在循环过程中不可逆反应产生的界面聚集是导致电极钝化及电池
。成功解决了背钝化电池局域背场的形成以及金属接触的关键技术难题,显著提高晶体硅太阳电池的结构性能,从而提升晶体硅太阳能电池的转换效率。 编辑点评: 天合光能大面积6英寸IBC电池的转换效率超过24
哈梅林太阳能研究所(ISFH)和汉诺威莱布尼茨大学在一块经过特殊处理的叉指p型单晶硅片背面使用了多晶硅脱氧多晶硅氧化物触点工艺,实验室电池转换效率达到26.1%,创下记录。
ISFH主任Rolf
Brendel教授表示,我们的结果表明,无论是n型硅、硼扩散还是非晶硅,它们都不是实现超高效率所必须的。还有其他很有吸引力的办法能取得最高硅效率,同时潜在的成本又很低!
创下记录的电池在电池负接触
效率最高的电池。 该电池采用交错背接触结构(IBC),正负电极均采用多晶硅氧化层(POLO)技术实现钝化接触。普通双面电极的电池在使用钝化接触(包括HIT在内)时,虽然提高了钝化效果和电压,但由于钝化
不低于19%和21%。 此前工信部发布的2017年我国光伏产业运行情况显示,P型单晶及多晶电池技术持续改进,常规产线平均转换效率分别达到20.5%和18.8%,采用钝化发射极背面接触技术(PERC
电荷聚集在电池片表面,使电池表面钝化。PID效应的危害使得电池组件的功率急剧衰减;使得电池组件的填充因子(FF)、开路电压、短路电流减少;减少太阳能电站的输出功率,减少发电量,减少太阳能发电站的
,受到了行业的焦点关注。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层,二者共同形成了钝化接触结构。该结构可以阻挡少子空穴复合,提升电池开路电压及短路电流。 在工艺方面
的30%。近年来,湿法黑硅(MCCE)、背面钝化(PERC)、异质结电池(HIT)、全背电极接触晶硅光伏电池(IBC)技术、N型双面等一批高效晶硅电池技术不断涌现,为未来的降本之路打开通道。
焦点关注。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层,二者共同形成了钝化接触结构。该结构可以阻挡少子空穴复合,提升电池开路电压及短路电流。 在工艺方面,TOPCon
,提高了少子寿命,从而提高转换效率。
其实,早在1984年Soder就全面综述了硅太阳能电池的接触电阻理论,分析了不同金属功函数和硅表面掺杂浓度对接触电阻的影响。形成SE结构的技术方案有很多,但大多数都要
求配套相关的新设备与辅材。PERC流行之前,SE电池大规模推广面临着投资成本巨大,高能耗,工艺整体耗时长等困境。
PERC的流行带火了SE。SE技术处理过的电池相比传统太阳电池有0.3%的提升,SE