电池速率

，再一次挤压主流普通单晶290瓦的市场，将行业单晶功率档标准又一次突破性拉升，向300瓦以上迈进。 晶科研发改进的背面钝化电池技术，进一步降低背面复合速率、实现背面整体钝化，能将单晶电池效率提升1

区间为19.8-20%，对应的组件功率为280W。为了进一步提升单晶电池效率，在电池背面增加了钝化层。通过背面钝化层的作用，电池的表面复合速率显著降低，电池的效率提升到20.8-21%，对应的组件功率

，而与PERC单晶相比，类单晶效率差异只有0.4%左右，这显示出类单晶同时兼顾单多晶优点。但类单晶电池也存在着一些问题，如类单晶电池的碱制绒导致不同晶向腐蚀速率不一样，电池表面形成高亮区域，组件端观

。但类单晶电池也存在着一些问题，如类单晶电池的碱制绒导致不同晶向腐蚀速率不一样，电池表面形成高亮区域，组件端观差异；电池EL图像中类单晶边缘除了有不同晶向外，还存在"带状"分布高位错区域；硅片的晶向

索比光伏网讯:今日，1366宣布直接硅片制造技术性能再创新高，其与韩华Q CELLS合作实现了19.9%的电池转换效率。该结果得到了德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所光伏校准实验室（Fraunhofer
ISE CalLab）的独立确认。这表明1366科技的直接法硅片与韩华Q CELLS的Q.ANTUM背钝化技术取得了快速的效率提升。我们效率提升的速率几乎是行业平均的两倍。去年底，在同条件的对比测试

近期，德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)通过TOPCon这样的N型技术，成功将多晶电池的效率提高到21.9%，再一次突破了业内认定的多晶电池效率20%的极限值，也比主流
单晶的19.6-19.8%以及单晶+PERC更高。 为了进一步降低背面复合速率、实现背面整体钝化，并去除背面开膜工艺，钝化接触技术近年来成为行业研究热点。TopCon(Tunnel Oxide

领先的半导体材料，有助于从阳光生产太阳能。由于多晶硅的类半导体材料性质，在大多数太阳能应用中用作原材料，未来可能以高速率增长。非晶硅是非晶体硅形式，用于太阳能电池或薄膜太阳能电池中。由于来自常规晶体硅

可分为多晶硅、单晶硅、非晶硅、铜铟镓硒、碲化镉、晶体硅和铜光伏电缆。晶体硅是领先的半导体材料，有助于从阳光生产太阳能。由于多晶硅的类半导体材料性质，在大多数太阳能应用中用作原材料，未来可能以高速率增长
。非晶硅是非晶体硅形式，用于太阳能电池或薄膜太阳能电池中。由于来自常规晶体硅材料和薄膜技术(例如硒化铜铟镓和碲化镉)的激烈竞争，这类材料预计增长非常缓慢。铜铟镓硒是用于CIGS太阳能电池的一种