电池速率

PERC等技术的成熟解决了金刚线切割多晶导致后端植绒工艺问题，且大幅降低成本同时提升电池效率，达到1+1+13的效果，带来了金刚线在多晶片切割应用成井喷式发展。此技术使得多晶电池转化率达到20.5
硅片，美国的 MEMC，中国大陆的中环、隆基，中国台湾的友达等，在仅 2-3 年内先后在金刚石线规模应用于单晶硅的切割取得成功，并从根本上解决了从制绒到电池片再到模组等所有配套工艺问题，彻底替代了运行

"能源发展国策。早在上世纪50年代初，RCA实验室制备出第一块转换效率为2.1%的碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池，证明了碲化镉是一种可以用于发展光伏发电技术的材料。研究发现，碲化镉及碲化镉薄膜太阳电池
技术具备以下特点:第一、碲化镉具备与地面太阳能光谱匹配的禁带宽度(~1.45ev)和高于硅材料100倍的吸收系数(105cm)等材料特性，适合制备高效薄膜太阳电池;实验室小面积电池转换效率已达到22.1

温度系数是材料的物理属性随着温度变化而变化的速率，不同的材料温度系数有所差别，在不同温度环境下的表现也不尽相同。温度系数可以直观的比较材料在高温环境下的表现优劣，简单的说，温度系数绝对值越低，材料的
太阳能电池的短路电流温度系数。3. 因为温度升高的时候开路电压下降很厉害，其幅度比短路电流升高的幅度要大，所以在温度升高的时候其总输出功率是下降的，因为P=UI，U下降的幅度大于I上升的幅度，所以功率与温度也

，最适合于光电能量转换，是一种良好的PV材料，具有很高的理论效率(28%)，性能很稳定，一直被光伏界看重，是技术上发展较快的一种薄膜电池。碲化镉容易沉积成大面积的薄膜，沉积速率也高。CdTe薄膜太阳电池是

一、背景技术 在晶体硅太阳能电池生产工艺中，扩散是核心工序。在硅片表面形成均匀的高质量的 p-n 结是电池效率提升的关键，也是工艺追求的目标。目前，常规生产的扩散工艺是在管式的扩散炉内，通过液态
片内和片间的方阻均匀性。以上的方法，取得了一定的成果，但是当扩散方阻提升至 90/ □以上时，方阻均匀性还是很难控制。 二、扩散工艺 本文的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种晶体硅太阳能电池的

办公建筑。1952年，法国国家研究中心在比利牛斯山东部建成一座功率为50KW 的太阳炉。1954年，美国贝尔实验室研制成实用型硅电池，被广泛应用于航天工业的人造地球卫星上。1955年，以色列的泰伯等在
框架公约第三次缔约方大会上通过了《京都议定书》。21世纪到来后，《中华人民共和国可再生能源法》实施，中国光热市场居全球首位;美国科学家提取菠菜叶绿素中的蛋白质，制成了叶绿素太阳能电池;德国造成由

把高纯度的多晶硅熔融在坩锅中，再把晶种插入硅熔液，用适当的速率旋转并缓慢地往上拉引做成硅晶柱，然后再把晶柱加以切割，就可以得到单晶硅。单晶硅电池多用于发电场，充电系统，道路照明系统及交通信号灯系统等，所发电力与电压范围广，转换效率高，使用年限长，单晶硅电池效率可以达11%~24%。

把高纯度的多晶硅熔融在坩锅中，再把晶种插入硅熔液，用适当的速率旋转并缓慢地往上拉引做成硅晶柱，然后再把晶柱加以切割，就可以得到单晶硅。单晶硅电池多用于发电场，充电系统，道路照明系统及交通信号灯系统等
，所发电力与电压范围广，转换效率高，使用年限长，单晶硅电池效率可以达11%~24%。 FR：宁波优静水表

的AR coating厚度对使用相同电池的光伏组件功率增益有显著差异，实际生产过程需要对AR coating的厚度进行严格的控制，AR coating干膜的主要由镀膜过程的湿膜厚度决定，影响湿膜厚度的
间发生变化，回流溶液的固含量也会发生相应的变化，进而影响到膜层厚度的一致性，。由于存在溶剂的挥发，需要根据回流溶液中溶剂的挥发量来计算需要补充的新鲜溶剂计量，对于不同的环境条件，溶剂的挥发速率也会有差异