电池速率

摘要 为了提高局域背接触太阳电池的电性能，研究了铝粉物性(氧含量、粒径)对局域背接触太阳电池背场铝浆性能的影响，探究了烧结工艺对局域背接触太阳电池填充率、铝背场厚度和电性能的影响。结果表明：低氧
62.35%，铝背场厚4m左右，转化效率最高，达到21.16%. 和传统太阳电池一样， 局域背接触(passivatedemitter and rear contact， PERC)太阳电池背面也采用

，上世纪60年代实现了产业化，1968年至1969年底，中科院半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。1975年宁波、开封先后成立太阳能电池厂。经过60年的发展，我国从一个光伏行业的
后生晚辈一跃成为现在的光伏大国。 2017年，中国大陆多晶硅产量24.2万吨，占全球总产量44万吨的56%;硅片产量约为90GW，占全球总产量105 GW的83%;电池片产量68GW，占全球

速率增长，而浙江晶科的产能越来越无法满足海内外订单的需求。于是，去年企业启动了双倍增项目。 事实证明，这一布局颇有远见。今年5月国家出台了531光伏新政，暂停普通地面电站指标发放、分布式光伏规模受限
研发、光伏电池和组件生产、光伏应用产品生产、光伏发电系统集成服务等环节光伏全产业链协同发展态势。当前，全市拥有光伏电池片产能2.9GW、组件产能3GW，约占全省产能的25%。 光伏电站。(部门供图

，从而影响PERC电池的电性能参数。 铝硅合金层厚度将直接影响载流子的复合速率，从而影响PERC电池的电性能参数，厚度大于2m的铝硅合金层可有效降低载流子复合速率。 3.2烧结曲线对

： 工作气压、衬底温度、硒源温度、沉积速率等等。要制备出高效率的太阳能电池器件，就必须制备高纯度的吸收层薄膜，薄膜的晶粒尽量大，表面平整，同时要保证严格的成分比 例。硒源温度影响薄膜的组分，同时也会
前言 近年来，光伏工业呈现加速发展的趋势，发展的特点是：产量增加，转化效 率提高，成本降低，应用领域不断扩大。与十年前相比，太阳能电池价格大幅度降低。 可以预料，随着技术的进步和市场的拓展

技术已经成为研究热点，该技术是在电池表面生长一层超薄的可隧穿的氧化层和一层高掺杂的多晶硅层，氧化层的钝化作用和高掺杂多晶硅层的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率，同时高掺杂的多晶硅层对于多子来说具有
摘要：本文主要研究可应用于规模化生产的TOPCon(TunnelOxidePassivatedContact)电池技术，该技术既可以改善电池表面钝化又可以促进多数载流子传输，进而提升电池的开路电压和

双面电池：成本与发电量同时增加。工艺方面，与PERC相比，PERT不需要氧化铝及激光处理，但多了一道背面硼扩散工序，形成背表面全覆盖，以降低电池的背面接触电阻和复合速率，其成本与氧化铝类似。扩散方式

环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 1引言 氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体硅
太阳能电池的重要步骤之一。其关键在于该薄膜不仅减少硅表面反射，还钝化硅材料中大量的杂质和缺陷，并通过改变禁带中能带为价带或导带以提高硅片中的载流子迁移率，延长少子寿命调高光电转化效率的目的。因此如何更好的增强