。硅片和电池片出口同比增加,2016年出口硅片接近35亿片,同比增长近30%,电池片出口量接近3GW,同比增长超11%。占出口光伏产品比重最大的组件(接近75%)则同比下降18%。多晶硅进口近14
,进行技术研发、设备技改,“即使在资金最困难的时期,也没有削减过科技创新投入,我们自主研发的最新单晶、多晶产品转换效率均创造了世界纪录。”靳保芳对记者表示。“玫瑰虽美,却有刺。”国际市场本身也有很多
电池栅线设计和创新的封装技术,有效地增加了组件的受光面积;同时,HIT高效电池片以异质结电池的构造,使光电转换效率大幅提升,而且输出功率的温度特性优秀。
随着市场对高效组件的不断需求,具有高
本届展会,与业界分享了赛拉弗最新的技术成果以及未来的发展方向。
本次重点展出的日食HIT高效组件,组件转换效率高达21.2.%;该组件是将Eclipse创新技术与HIT高效电池相结合,通过优化
海外尽管我国光伏外贸出口同比下降,但在国际光伏发展版图上,中国强劲势头无可抵挡。作为全球最大的光伏制造国和光伏发电应用国,中国光伏产品出口规模快速扩张的同时,结构也在不断优化升级。硅片和电池片出口
同比增加,2016年出口硅片接近35亿片,同比增长近30%,电池片出口量接近3GW,同比增长超11%。占出口光伏产品比重最大的组件(接近75%)则同比下降18%。多晶硅进口近14%,同比增长超过20%。在
也在提升;电池片方面,PERC、黑硅等技术实现规模化生产,单多晶效率分别达到20.5%和19%;组件方面,半片、MBB、叠瓦等技术不断涌现,先进科研成果的产业化进程也在明显加快。另外,在一带一路战略
发展,2015版本中一些指标,包括转换效率、产能规模等,已经与行业发展实践出现偏差,需要及时修订。工信部电子信息司处长王威伟透露,今年将修订光伏制造行业规范条件。王威伟表示,目前光伏制造行业在结构调整
;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点,组件的串联电阻
低,转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片,使得进一步较大幅度降低成本成为可能;3)黑硅电池组件,黑硅技术近期的进展可能归结于两个主要因素:第一,金刚线切割能够大幅度的降低多晶硅片成本,但传统的酸制绒
穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点,组件的串联电阻低,转换效率
电池片背面的技术,使面朝太阳的电池片正面呈全黑色,完全看不到多数光伏电池正面呈现的金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积,也有利于提升发电效率,外观上也更加美观。6)HIT硅太阳能电池,是在晶体硅片上
激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点,组件的串联电阻低,转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片,使得进一步
量,降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺,能同时兼顾硅片端降本与电池片端提效两方面。
目前黑硅技术主要分成干法制绒的离子反应法(Reactive Ion
。
MWT组件技术
MWT (metal Wrap Through 金属穿透)技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的
。第二,黑硅技术的设备成本降低,电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外,还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量,降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配
硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点,组件的串联电阻低,转换效率高;并且可以适用于更薄的硅片
的设备成本降低,电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外,还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量,降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺,能
低于干法制绒,但现有技术尚未成熟,容易导致外观颜色不均、转换效率较低、废液难以回收等议题,目前仍无法解决。因此,近两年黑硅的产能扩充将不如PERC当年迅速。不过,为抵御单晶产品步步进逼,多晶电池片厂商也