电池器件

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26.41%!钙钛矿电池再破效率纪录来源:Lilly 能慧 发布时间:2024-03-25 09:46:38

中的离子和背电极中的金属原子相互扩散提供了通道,容易导致缺陷形成,从而对器件的长期稳定性产生不利影响。T2实物照片及其特点以及基于T2制备的钙钛矿电池效率测试曲线密度泛函理论(DFT)计算
清华大学电机系易陈谊团队通过开发新的空穴传输材料结合真空蒸镀钙钛矿薄膜实现了26.41%的钙钛矿太阳能电池世界最高效率纪录。在光伏技术领域,钙钛矿太阳能电池(PSCs)以其突出的能量转换效率(PCE

注资1亿元!京东方光能正式成立来源:新能智库 发布时间:2024-03-22 08:54:43

近日,由京东方环境能源科技有限公司全资持股的合肥京东方光能科技有限公司正式成立,法定代表人为王震宇,注册资本9910万元,经营范围含光伏设备及元器件销售、光伏设备及元器件制造等。成立合肥京东方光能
科技有限公司,是京东方加大在光伏产业的投入和布局的重要举措。此次成立合肥京东方光能科技有限公司,将为京东方在钙钛矿光伏领域的进一步发展和壮大奠定坚实基础,加速钙钛矿太阳能电池技术的商业化进程。钙钛矿电池

关于举办“2024 中部国际新型电力(新能源) 装备暨储能展览会”的通知来源:2024中部新型电力(新能源)装备暨储能展览会 发布时间:2024-03-20 16:31:09

、钠硫电池、流电池等; 物理储能技术,包括抽水蓄能、压缩空气能量存储、飞 轮储能等; 热能储存解决方案,如相变材料储热、高温熔盐储能等; 储能安全与消防等; 充电桩及配套元器件,充电设施建设运营

国家能源集团首席专家钟大龙:发展钙钛矿技术可有效保障我国光伏龙头地位来源:索比光伏网 发布时间:2024-03-20 15:10:08

江苏我们有超过1GW的分布式。 光伏的核心技术主要有三大块。一是光伏电子技术,肯定是最根本、最具有颠覆性的,更多的重点都在电池技术、材料与器件电池的互联与封装上。电池技术,第一代晶硅是主力

中山大学毕冬勤最新AFM:自组装桥接层对纯FAPbI3基钙钛矿太阳能电池性能的影响来源:钙钛矿太阳能电池 发布时间:2024-03-19 10:30:14

基于纯 FAPbI3(FA为甲脒)的钙钛矿太阳能电池因其卓越的效率而获得了全世界的认可。然而,FAPbI3的相稳定性仍然是该领域的一大障碍,因为使用MA+、Br−、Cs+稳定α-FAPbI3相的
普通策略会导致带隙变化和离子迁移。鉴于此,2024年3月13日中山大学毕冬勤于AFM刊发自组装桥接层对纯FAPbI3基钙钛矿太阳能电池性能的影响的研究成果,提出了一种新策略,通过在n-i-p太阳能电池

Nat. Commun.:有机添加剂改善Sn-Pb混合钙钛矿叠层太阳能电池来源:知光谷 发布时间:2024-03-19 10:04:49

氧化的能垒,能够起到保护作用避免Sn2+的氧化。修饰对胍基苯甲酸盐酸盐的单节Sn-Pb钙钛矿太阳能电池的效率达到23.11%,在惰性气氛和未封装状态下保存3500 h后,器件性能仍保持97.45
Sn-Pd混合钙钛矿太阳能电池是重要的全钙钛矿太阳能电池,而且有可能比单节太阳能电池表现更好的效率,因此受到人们的广泛关注与研究。但是Sn基太阳能电池与Pd基太阳能电池的晶化过程存在显著的区别,而且

Nature:22.97%,钙钛矿太阳能电池新纪录!来源:Nature 发布时间:2024-03-18 09:46:45

01、研究背景随着太阳能技术的不断发展,钙钛矿太阳能电池(PSCs)因其卓越的光电特性而备受科学家的关注。尽管钙钛矿太阳能电池被认为是最有前景的光伏技术之一,然而与实验室规模的PSCs相比,大面积
太阳能电池,并评估了以氯离子(Clˉ)作为钙钛矿添加剂的咪唑类离子液体对效率的影响。在研究的离子液体中,唯有Cl显著提高了PSCs的效率。进一步研究Cl与不同阴离子配对的离子液体,包括BF₄ˉ,PF

Science全面解读:SAM助力稳定85℃倒置钙钛矿太阳能电池来源:知光谷 发布时间:2024-03-18 09:35:26

经过1000小时湿热测试和在85°C下进行1200小时最大功率点跟踪操作后,器件分别保持了98.9和98.2%的初始PCE。一、SAM对倒置钙钛矿太阳能电池关键作用高效率钙钛矿太阳能电池(PSCs)的

【演讲嘉宾】捷佳伟创 陈麒麟:钙钛矿薄膜电池与叠层电池量产装备来源:雪球网 发布时间:2024-03-14 17:27:56

钙钛矿与叠层电池组件产业链关注的热点话题、关键技术、供应链、未来趋势等展开深入探讨,如您在钙钛矿与叠层电池组件、封装材料、工艺技术及器件设备等相关领域有所建树,欢迎您来研讨会分享,一起相聚龙城,共同直面

隆基徐希翔、李振国团队在P型硅片上实现26.6%的异质结电池效率来源:知光谷 发布时间:2024-03-13 10:35:57

基准。作者详细介绍了该器件的工艺发展和光电性能改善。最后,作者进行功率损耗分析以确定p型SHJ太阳能电池技术的未来发展路径。
在非晶/结晶硅(a-Si:H/c-Si)界面形成的异质结具有独特的电子特性,可用于硅异质结(SHJ)太阳能电池。超薄a-Si:H钝化层的结合实现了750 mV的高开路电压(Voc)。此外,n型或