电极

电极,索比光伏网为您提供电极相关内容,让您快速了解电极最新资讯信息。关于电极更多相关信息,可关注索比光伏网。

光伏印刷设备:光伏电池丝网印刷工艺详解来源:微信公众号“光伏技术” 发布时间:2020-03-06 14:34:24

1. 丝网印刷原理&作用 1.1 原理 刮刀挤压印刷油墨,并借助刮刀面和网版网结的阻拦,使印刷油墨呈现出逆向滚动状态,当油墨行至网版未被乳胶膜阻挡的电极图形区时即向下穿透网孔接触印刷基材(硅片
。 2. 丝网印刷流程&作用 2.1 印刷流程 2.2 背电极印刷 a. 作用:形成良好的欧姆接触特性、焊接性能和附着性; b. 银浆组成:银铝浆是由

光伏行业深度报告:2020是N型元年,新一轮光伏印刷设备技术革命在这里开始来源:未来智库 发布时间:2020-03-05 14:24:13

接触电阻;优化的烧结曲线,保持填充因子(FF)的同时最大限度提升电池开路电压(Voc);采用双层金属电极结构,下层采用点接触式烧穿型浆料,保证接触电阻的同时有效降低金属-半导体复合,上层浆料采用线式非
技术路线并进。TCO 沉积在异质结电池沉积工艺的后半部分,通过沉积 TCO 膜作为减反层和横向输运载流子至电极的导电层。一般 TCO 沉积在 PVD 设备中通过溅射的方式完成。捷佳伟创和 Archers

北玻股份被疑蹭“热点”人气王趴窝背后 业绩究竟如何?来源:铑财 发布时间:2020-03-04 15:36:09

HIT电池制造工序中所用到的设备,通过该设备沉积金属氧化物导电层TCO,这也是HIT电池在制作电极前的最后一步。 但PVD设备,并不是HIT最大难题。2020年1月,招商证券研报认为,TCO沉积这项

光伏行业迎“平价时代”高景气周期来源:证券市场周刊 发布时间:2020-03-02 10:42:12

、金属电极丝网印刷线研发已基本完成,进入工艺验证阶段,HJT整线生产设备国产化正在积极推进中;背钝化技术氧化铝镀膜设备研发已形成批量生产销售;TOPCon电池工艺技术钝化设备研发已进入工艺验证阶段。迈为股份

钙钛矿电池中添加了石墨烯 其转化效率提高到26.3%来源:光伏测试网 发布时间:2020-02-26 08:38:25

异质结电池兼具有薄膜钙钛矿生产工艺和硅基异质结电池的性能。双端结构让电极数量更少,减少了电池本体吸收损失的光,比四终端电池的生产成本更低。 科学家们在钙钛矿电池中使用的二氧化钛(TiO2)电子选择层中
介观钙钛矿电池,通过在两个子电池之间的接触区域施加大约1公斤/厘米2的压力,机械地堆积在硅底电池上。 再采用磁控溅射法在空穴选择层上沉积氧化铟锡对电极,并作为顶电池的后接触电极。研究人员声称已经找到

科学家研发出更安全的铅基钙钛矿太阳能电池来源:科技报告与资讯 发布时间:2020-02-20 18:48:49

。 将透明的铅吸收膜复合到太阳能电池正面的导电玻璃上。隔离膜包含强的结合铅的膦酸基团,但不妨碍细胞捕获光。在背面金属电极上使用了一种较便宜的与铅螯合剂混合的聚合物薄膜,不需要透明性。 Xu教授说

从市占40%到退出 昔日硅片切割龙头易成新能的自我救赎来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2020-02-17 11:04:45

亿元,持续上升。 此外,易成新能通过并购全力拓展石墨电极业务。2018年11月,易成新能通过发行股份的方式启动对控股股东平煤神马旗下的开封碳素的收购。开封炭素主要业务为超高功率石墨电极的研发、生产及
销售,主要用在电弧炉炼钢,也可用在工业硅炉、黄磷炉、刚玉炉等作导电电极。 2019年9月,易成新能完成了开封碳素100%股权的过户手续及相关工商变更备案登记,开封炭素成为公司的全资子公司并纳入合并

PERC技术头部企业净利5分/瓦?HIT最终产能预计达300GW?来源:女柚子之路 发布时间:2020-02-09 22:22:47

光伏电池的发电结构,由于非晶硅薄膜横向导电性不好,如果直接在非晶硅薄膜上印刷电极,会有部分电流无法收集,所以还需要在非晶硅薄膜两侧沉积一层金属氧化物导电层,英文缩写是TCO,说的简单点就是一层透光性很好的
导电膜,最后在TCO上丝网印刷电极,再固化,光再生,就制成了HIT电池。因此从工序上来讲,HIT电池核心工序就4步,清洗制绒、非晶硅镀膜、沉积TCO、丝网印刷,是所有电池工艺中步骤最短的。 2

知识点get!专业!终于把单、多晶组件的LID讲清楚了!来源:智汇光伏 发布时间:2020-02-07 17:47:43

电极,因此缺陷与杂质会引起更加明显的光衰。 如下图所示,P型单晶PERC电池的光衰均高于常规单晶,P型多晶PERC电池的光衰也高于常规多晶,单晶PERC电池光衰达到3%后开始恢复,多晶PERC

扩散工艺常见问题分析来源:摩尔光伏 发布时间:2020-02-05 11:40:08

浓度不够,造成隔离岛间漏电流大(严重时为穿通); (6)基区扩散前有残留氧化膜或基区扩散浓度偏低,在发射区扩散后表现为基区宽度小,集电极-发射极间反向击穿电压低,漏电流大; (7)发射区扩散表面浓度
窄或发射区扩散后造成发射极和集电极短路,会使击穿电压降低,甚至为零。造成这种现象的工艺原因是基区扩散浓度过低或发射区扩散结深过深,发射区再扩散时Hfe调整过大也会使击穿电压降低; (4