索比光伏网讯:近日美国邦纳的产品家族中又添一重量级新产品 -- 邦纳BMD系列变频器。邦纳变频器具有380V,220V和110V不同电压产品,功率范围从0.2KW到500KW,具有高精度电流矢量和
/F控制 & 无速度传感器矢量控制 (32 bits CPU) 0-650Hz(1000Hz 可选)输出,16段速,PID控制 150%/1min过载能力 150%/1Hz启动转矩 IP20 集成
森美基于快闪的低功率技术具有巨大的优势。这将使用数量更少且尺寸更小的机箱风扇,因而可以降低运行费用。 在功率管理和功率开关方面,美高森美的600 V CoolMOS? C6器件采用第五代高电压超级结
系列支持高达40V的输入电压,以及最高40A的宽泛输出电流范围。该系列器件包括内置功率FET的开关调节器,以及采用外部功率FET并可在最高2 MHz频率下运作的控制器。 在功率监测方面
不锈钢传感器线,系统自动报警,并实施保护。被鉴处于国际先进水平。4.SCR控制器调节主变压器初级绕组的电压SCR控制器采用这样的方式控制SCR:按一定的设定功率比,接通和断开SCR的功率控制器。例如:设定
温度梯度使硅锭从熔体底部向顶部开始长晶。3.硅液溢流自动保护技术在下炉盖保温材料上部设置不锈钢传感器线,在意外情况下,硅液流出坩埚,从下面隔热层的开口处流到下面腔室地板上的保护铝垫上,硅液会熔化铝垫上的
传感器采集的电压信号,经过滤波以后,通过49脚和50脚送入电能计量芯片,同样通过电流传感器获得电流信号,经过滤波以后送入电能计量芯片7169的52脚和53脚,这样便可以进行有功功率、无功功率和视在功率的
发展趋势是以超低功耗来减少能源的消耗。其次,老龄化所带来的社会问题中包括了对医疗行业更高的需求,同时,也给医疗电子带来了更多的挑战。医疗电子的发展给半导体行业提出的新的挑战主要集中于前端的高分辨率传感器和
EMC要求。从安全角度考虑,控制器及逆变器都需要完全的隔离技术。这些具体的要求也催生并推动了相应产业的发展,特别是一些新型的半导体器件,对于长寿命、高温度范围的隔离器件,提高电流、电压检测精度的器件,及
)正弦波控制。控制器主要基于供有+5V电压并与电子控制系统其他有源元件共享基准电压的微处理器或DSP(数字信号处理器)。LEM公司的HMS电流传感器通过一个+5V电源来运行。其内部基准电压(2.5V)由
。3.硅液溢流自动保护技术在下炉盖保温材料上部设置不锈钢传感器线,在意外情况下,硅液流出坩埚,从下面隔热层的开口处流到下面腔室地板上的保护铝垫上,硅液会熔化铝垫上的不锈钢传感器线,系统自动报警,并实施保护
。被鉴处于国际先进水平。4.SCR控制器调节主变压器初级绕组的电压SCR控制器采用这样的方式控制SCR:按一定的设定功率比,接通和断开SCR的功率控制器。例如:设定功率比为30%,在30%的时间内完全
顶部开始长晶。3.硅液溢流自动保护技术在下炉盖保温材料上部设置不锈钢传感器线,在意外情况下,硅液流出坩埚,从下面隔热层的开口处流到下面腔室地板上的保护铝垫上,硅液会熔化铝垫上的不锈钢传感器线,系统自动
报警,并实施保护。被鉴处于国际先进水平。4.SCR控制器调节主变压器初级绕组的电压SCR控制器采用这样的方式控制SCR:按一定的设定功率比,接通和断开SCR的功率控制器。例如:设定功率比为30%,在30
地板上的保护铝垫上,硅液会熔化铝垫上的不锈钢传感器线,系统自动报警,并实施保护。被鉴处于国际先进水平。 4.SCR控制器调节主变压器初级绕组的电压 SCR控制器采用这样的方式控制SCR:按一定的设定
。这样热场内就形成了一个竖直的温度梯度使硅锭从熔体底部向顶部开始长晶。 3.硅液溢流自动保护技术 在下炉盖保温材料上部设置不锈钢传感器线,在意外情况下,硅液流出坩埚,从下面隔热层的开口处流到下面腔室
太阳能发电研发(实验)中心顺利通过低电压穿越(LVRT)全功能测试,并取得相关测试报告。国网电科院LVRT的测试认证表明西门子SINVERT光伏并网逆变器完全符合国电电网《光伏电站接入电网技术规定》对光
伏电站低电压穿越功能的严格要求。此前,西门子SINVERT光伏并网逆变器已经取得欧洲权威机构德国联邦能源和水资源协会(BDEW)的低电压穿越测试认证。
本次认证由国内权威机构——国家能源