激子

纯卤化物低维钙钛矿具有较大的激子结合能和可调谐带隙，在高效深蓝色钙钛矿发光二极管(PeLED)方面显示出巨大的潜力。然而，它们的效率，特别是在低n值相域(“n”代表八面体片的数量)，落后于同类的
钙钛矿发射器。研究证明，低n值相中边缘悬挂八面体的振动会激活臭名昭著的激子-声子(EP)耦合，从而降低效率。鉴于此，2024年11月6日南开大学姜源植&袁明鉴于AM刊发管理低维钙钛矿的边缘态以实现高效

‘一主引领、三翼驱动、全面发展’的技术路线，以N型为引领，前瞻性布局DBC背接触技术、TSiP钙钛矿/硅叠层技术、SFOS硅基激子裂分倍增技术，共同驱动电池效率向40%以上的目标迈进。未来，公司将继续

布局DBC背接触技术、TSiP钙钛矿/硅叠层技术、SFOS硅基激子裂分倍增技术，共同驱动电池效率向40%以上的目标迈进。此外，一道新能注重实验室检测能力的建设，投入大量资金提升实验室软硬件环境及人

方位的发展，一道新能制定了全新的“一主引领、三翼驱动、全面发展”技术发展战略。“一主”即TOPCon技术，“三翼”为DBC、钙钛矿、SFOS(硅基激子裂分倍增电池)技术，一道新能将在TOPCon技术的

，上面叠钙钛矿，实验室的小面积电池效率达到了32.3%。一道新能钙钛矿/硅叠层电池技术路线一道新能持续推动硅基太阳电池的效率提升，并与新南威尔士大学共同研发SFOS硅基激子裂分倍增电池技术，该技术能够使

，制定了“一主引领、三翼驱动、全面发展”技术发展战略，以最先进的钝化接触TOPCon电池结构为基础和依托，DBC背接触技术、TSiP钙钛矿/硅叠层技术、SFOS硅基激子裂分倍增电池技术“三翼”共同驱动

缩小钙钛矿晶体的尺寸以限制激子并钝化表面缺陷，极大地推动了钙钛矿发光二极管(LED)发光效率的提高。然而，电致发光效率的光学极限和胶体钙钛矿纳米晶体(PeNCs)光致发光效率之间的持续差距表明，仅靠

、TSiP钙钛矿/硅叠层技术、SFOS硅基激子裂分倍增电池技术，三翼共同驱动，技术全面发展。 标准专利双飞越宋登元博士也是国际知名的标准技术专家，兼任SEMI中国光伏标准委员会主席，国际电工委员会IEC

相FAPbI3钙钛矿，其具有高激子结合能，有效加速了辐射复合过程。(4)通过双添加剂方法制备的三维钙钛矿LEDs，获得了峰值外部量子效率(EQE)达到32.0%的记录，即使在高达100 mA/cm²的高
选择具有增加的激子结合能的3D钙钛矿作为光发射材料，实现了近乎完美的PLQE，从而有效地减少了非辐射复合的影响。其次，通过促进四方相FAPbI3钙钛矿的形成，加速了辐射复合的速率，进一步提高了LEDs的

传输层(HTLs)之间形成大的空穴注入势垒，导致QDs层中载流子注入不平衡，进而降低QLEDs的效率。因此，为了实现蓝光QLEDs中高效的激子辐射复合，迫切需要开发能够同时钝化蓝光QDs缺陷和优化器件
产生强的相互作用(图2)。钝化后，蓝光QDs表现出高效的激子辐射复合行为(图3)，其薄膜的光致发光效率(PLQY)达84%，远高于钝化前QD薄膜的43%。此外，钝化后的蓝光QDs具有更浅的价带，为高效