激光设备

数量为60张，单张硅片带来的价值溢价为： 48.560=0.8元 就是说对于普通单多晶组件，单晶硅片卖贵0.8元是合理的。 上面对比的是普通单多晶电池，但是当我们叠加perc、se激光、半片
那么好。光伏行业发展瞬息万变，结束革新迭代迅速，生产设备经常革新。设备降价的速度远高于会计折旧的速度，导致一些龙头公司的账面上经常躺着一些无效资产。这些龙头公司面临困境的原因无外乎： 1、主营业务

的不同而异。因此，钝化膜沉积设备和膜开口设备(既可以使用激光也可以运用化学蚀刻)都需要在传统的电池生产线上额外增加加工设备。对于较少应用的激光边缘隔绝处理工艺生产线，需要增加一个化学湿式工作台进行背面

其工艺过程简单，从图1可以看出从太阳电池常规产线升级成激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线，工艺上只需增加激光掺杂一个步骤，从设备上来说，只需增加掺杂用激光设备，与常规产线的工艺及设备兼容性很高，是行业

，分散式风电风资源评估可采用数值模拟的方法，但是仅依靠数值模拟方法，无法对现实湍流及风切变情况准确把握，机组产能和机组安全性存在风险。这时就需要激光雷达出场了。激光雷达设备的测量精准度、测量范围、可移动性均能

足以证明PERC技术拥有强大的生命力和广阔的应用前景。 PERC电池只需在传统电池工艺基础上增加Al2O3/SiNx背镀膜和激光开膜两步工艺，与其它高效电池及技术相比，PERC电池技术难度较小，设备
，相比于常规电池开路电压大幅提升，原来很难发现的缺陷，比如细微划伤、黑斑等问题都会暴露出来。隆基乐叶通过生产工艺的优化，设备的改造升级，很好的解决了良品率问题，目前隆基乐叶PERC电池良品率达到97%以上

瓦尔斯键断裂，杂质脱离硅片表面。在此理论的基础上，超声波束流清洗技术得到了空前的发展。WDjiang等人利用KrF准分子激光器对硅片表面的Al2O3杂质进行了清洗试验和理论分析。利用248nm
、30ns的KrF准分子激光源垂直照射到大小为5mm10mm、厚度为650m的硅片上进行清洗试验，然后使用MX40光学显微镜对清洗前后的硅片进行观察。得出使用单个脉冲能量密度为90mJ/cm2时，1m大小的

激磁电源并配置磁场设备，增加了工艺难度与生产成本。降低硼的掺杂浓度，使用得到的高阻材料制作电池(如5-10cm)，但在制作背场时需要较高的工艺要求。 5)采用区熔单晶硅技术。 区熔单晶硅技术不仅
Low-Resistivity CZ-Solar Cells .11thPVSEC，1999.553. 闻震利，郑智雄，洪紫州，等.低质量Si材料制备太阳电池.电子激光，2011，22(1)：82.

与丝网印刷电池制造平台兼容。当然，正确选择沉积方法和设备，包括激光消融设备以及将它们顺利地集成到现有电池生产线中，同时优化工艺参数，是能大规模制造PERC电池时的关键所在。幸运的是，得益于高产
能AI2O3沉积设备和脉冲激光加工设备的快速发展和商业化，要成功实现上述关键点已经变得容易得多。 最后需要指出的是，目前全球超过90%的光伏组件都是采用晶硅片技术制造的。而这些组件中的大约35-40%又是采用

金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。 PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术，而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔
设备 多晶PERC的光衰机理更为复杂。目前认为，多晶PERC的光衰与电池的热过程密切相关，因此也称为光照热衰减(Light elevated Temperature Induce

到产线、设备投资，多方面掣肘了IBC的降本之路。也因为如此，在全球太阳能领域以IBC技术著称的SunPower尽管耕耘中国市场多年，却始终无法深度参与其中。 中来股份借助多年的研发经验，其一期3GW
建成后，量产的IBC电池转换效率将超过24%，即60片光伏组件正面功率可达到340W以上。 在谈及目前市场最为关注的成本问题时，中来股份信心十足。首先，中来股份采用离子注入技术、掩膜技术、激光开凿和