激光硅沉积
多晶硅PERC电池光衰率
3PERT电池
PERT电池的技术进步
减压硼扩散
离子注入磷
BF+/BF2+注入
外延生长掺硼层
快速沉积(RVD)硼扩散层
预制BSG
题目为《晶体硅太阳电池产业化技术的发展》。
王老师是国内电池研究的最权威专家之一。根据目前的情况分析后，王老师认为：
单晶PERC产品兼具成本与性能优势，是目前最有竞争力的产品，未来还具有很高的效率
，从而提升电池效率。Al2O3薄膜具有极低的界面缺陷和较高的固定负电荷密度，能够提供良好的表面钝化效果；镀膜或进行激光开槽，使光生电流通过该窗口被背面铝层收集。 背面叠层结构材料折射率为硅3.9
钝化薄膜为基础。背面镀完膜后进行局部的激光剥离出硅基片和背面铝层的接触窗口，背面的光生电流通过该窗口被背面铝层收集。目前PERC电池技术已经成为热门的高效量产技术。存在的问题：背钝化技术在多晶应用上的
组件功率由280W提升到290W。 和常规单晶电池工艺相比，PERC单晶电池主要增加了背面钝化、背面SiNx膜沉积和激光打孔三道工艺。其中激光打孔工艺是利用一定脉冲宽度的激光在去除部分覆盖在电池背面的钝化
索比光伏网讯:受益于高效组件与分布式的市场需求增加，以及领跑者计划的门槛限制等因素，高效产品一直市场上的首选。目前，先进的光伏技术众多，如PERC、N型、双面、HIT、IBC、黑硅等。但以技术成熟度
、转换率高、碎片率低的优势成为行业优势品牌，全球前十大晶硅组件企业大部分为企业客户。除此之外，广东爱康高度重视技术研发工作，已取得数百项专利技术，各项技术指标始终处于国际一流企业行列。启动浙江爱旭8GW
由280W提升到290W。PERC单晶单面电池工艺流程和常规单晶电池工艺相比，PERC单晶电池主要增加了背面钝化、背面SiNx膜沉积和激光打孔三道工艺。其中激光打孔工艺是利用一定脉冲宽度的激光在去除部分
时间才能完成各项优化，当然也需要对整条太阳能电池生产线进行优化，而并不仅仅是对背表面沉积和激光开背等工艺进行优化。太阳能电池生产线上的每一步骤均需相互配合。PERC技术并非即时解决方案，而需要时间来完成转型
多晶硅太阳能电池的效率纪录》的主题演讲。
晶科能源此次出席PV CellTech大会具有十分重要的意义。公司通过努力成长为产业内晶硅组件供应领域毋庸置疑的领军企业，并为2017年晶硅组件产品的出货
杂质源（硼或磷源），一般可以通过化学气相沉积的方法来形成掺杂的掩膜层。这样在后续就只需要经过高温将杂质源扩散到硅片内部即可，从而节省一步高温过程。而且，也可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层
光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了156×156 mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。公司已15次打破IBC电池的世界纪录。IBC
合作开发氢钝化技术，能将多晶PERC电池片光致衰减比率降为零。HIT太阳能电池技术HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路
;2)MWT(金属穿孔卷绕)电池组件、技术是在硅片上利用激光穿孔技术结合金属浆料穿透工艺将电池片正面的电极引到背面从而实现降低正面遮光提高电池转换效率的目的。同时由于该技术的组件封装特点，组件的串联电阻
，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。1500V系统集中式逆变器经过前期的示范性应用，其稳定性和
