漏电

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晶体硅光伏组件的电位诱发衰减(PID)(一)来源: 发布时间:2012-05-10 09:26:52

发生,也可能是成反向偏置的条件下发生。相关文献阐述了电池经过封装材料(通常是EVA和玻璃的上表面)和组件边框所形成的路径所导致的漏电流被认为是引起PID现象的主要原因。图1红线描述了漏电流的路径,而实践
部分被认为是与PID现象有关的主要路径到目前为止,漏电流形成的机理实际上还不是十分地清楚。总体而言,由封装材料对电池进行封装后所形成的绝缘系统对于上述漏电流而言是不完善的,同时推测来自于钠钙玻璃的金属

应用SolarBond® Inframe密封材料的光伏组件成功通过IEC61215测试来源: 发布时间:2012-05-07 13:34:35

容包括了外观检测、热点检测、绝缘性测试、电子元件的湿漏电测试以及在各种温度、苛刻环境下的性能测试。这些苛刻环境包括:紫外光照、湿热、极冷和冷热循环等。 此外组件还需承受二极管短路情况下的热点测试

应用SolarBond® Inframe密封材料的光伏组件成功通过IEC61215测试来源: 发布时间:2012-05-07 11:32:21

顺序、条件以及性能指标。IEC 61215标准由独立的第三方评价测试公司TV莱茵开发,其内容包括了外观检测、热点检测、绝缘性测试、电子元件的湿漏电测试以及在各种温度、苛刻环境下的性能测试。这些苛刻环境

应用SolarBond® Inframe密封材料的光伏组件通过IEC61215测试来源: 发布时间:2012-05-07 11:12:59

开发,其内容包括了外观检测、热点检测、绝缘性测试、电子元件的湿漏电测试以及在各种温度、苛刻环境下的性能测试。这些苛刻环境包括:紫外光照、湿热、极冷和冷热循环等。此外组件还需承受二极管短路情况下的热点

多晶硅片质量对太阳能电池性能的影响来源: 发布时间:2012-05-03 09:36:20

晶和分布晶的少子寿命和漏电分析图9硅片少子寿命扫描图图10太阳能电池片Rsh扫描图微晶和分布晶区域大量晶粒的形成,必然有大量杂质作为形核中心参与形核,甚至造成硅溶液中成分过冷,而形成大量微晶和分布晶
太阳能电池可认为是无数二极管的并联但是由于贯穿PN结的长条状导电型SiC的存在,会造成电池的严重漏电Ileak甚至PN结短路,使电池性能严重下降甚至报废。如图10 电池片Rsh扫描图所示漏电。图12典型

太阳能光伏电池暗电流的研究来源: 发布时间:2012-04-25 10:39:10

索比光伏网讯:本文对太阳能电池的暗电流产生原因进行了系统的研究。暗电流不仅仅包括反向饱和电流。还包括薄层漏电流和体漏电流。在太阳能电池实际生产中,暗电流高于5A的电池比例偏高,其产生的原因多种多样
太阳能电池而言,暗电流不仅仅包括反向饱和电流,还包括薄层漏电流和体漏电流。反向饱和电流是指给PN结加一反偏电压时,外加的电压使得PN结的耗尽层变宽,内建电场变大,电子的电势能增加,P区和N区的多数载流子数载

3M高性能EVA助力提高组件效率来源: 发布时间:2012-04-19 08:57:59

计研发,组件对可见光具有高反射率,有助于减少背电极反光层厚度;其白色的外观能够掩盖层压气泡等缺陷,提高良率;另外相对普通EVA较高的体电阻,它可改善湿漏电测试结果;且低于瓷白PVB的价格,也有

艾默生网络能源的 LPS109-M 100W-150W 交流/直流电源已达到以太网电源输出隔离等级来源:Solarbe.com 发布时间:2012-04-09 12:11:49

。此外,这款电源的安全接地漏电电流最高可达275A,当提供150W的满载输出时,主输出的保持时间不低于10ms。 艾默生网络能源的LPS109-M 电源采用安全可靠的防护设计,以防出现过压、过热

TÜV Rheinland在韩国庆山开设新组件测试实验室来源:PV-Tech 发布时间:2012-03-27 23:59:59

载荷测试台、冰雹测试仪、模拟雨水条件漏电实验室、冲击测试仪和用于薄膜技术的光透雨实验室。实验室的建造和设计均在TV Rheinland专家组成员的指导下进行,所有的测试均由TV Rheinland工程师

制作太阳能木琴:用自然能源“播放”优美音乐来源: 发布时间:2012-02-23 23:59:59

一番,然后你就叫上你的朋友们来帮忙制作其他7块一样的电路板吧(或者你自己全干了)。制作完成后,你得仔细检查焊接是否牢固,对照原理图,并使用万用表检查太阳能电池板或者4700F电容,看看是否漏电。最后,你