氧化铝

晶体硅组成。对于背面的钝化，Schmid采用APCVD在硅片上镀制氧化铝层；背面有两层覆盖膜同样通过APCVD技术制备。取决于不同的硅片质量，采用Schmid工艺技术，可获得平均效率在20%-20.5

，Schmid采用APCVD在硅片上镀制氧化铝层；背面有两层覆盖膜同样通过APCVD技术制备。取决于不同的硅片质量，采用Schmid工艺技术，可获得平均效率在20%-20.5%的Cz单晶硅PERC电池和18-18.5%的多晶硅PERC电池。

计算，Schmid集团应用于钝化膜和覆盖膜的APCVD技术，成本比ALD和PECVD工艺低40-50%。PERC电池由晶体硅组成。对于背面的钝化，Schmid采用APCVD在硅片上镀制氧化铝层；背面

(IBC)太阳电池。海润光伏的Andes系列电池采用钝化发射极和背场技术以减少损失提升电池效率。此次在IEEE PVSC的文章介绍了背表面氧化铝钝化层对电池性能的提升作用，Andes电池目前试产平均效率

，海润光伏的Andes系列电池采用钝化发射极和背场技术以减少损失提升电池效率。此次在IEEE PVSC的文章介绍了背表面氧化铝钝化层对电池性能的提升作用，Andes电池目前试产平均效率可达19.9%。采用

采用钝化发射极和背场技术以减少损失提升电池效率。此次在IEEEPVSC的文章介绍了背表面氧化铝钝化层对电池性能的提升作用，Andes电池目前试产平均效率可达19.9%。采用Andes电池制成的组件功率

将反射光量将至最低。与京瓷其它太阳能组件相似，新型Y系列采用的是高品质阳极氧化铝黑色框架。该框架表面涂层抗腐蚀性能非常出众，从而最大程度的提高了使用寿命与耐用性，并且还可令重量减轻。框架由螺钉与粘合剂组装

氧化铝沉积技术研制的发射极和背面钝化(PERC)电池最高效率达到20.12%，平均效率19.96%。 魔音沃森T：成本估计不低 @Ryan-Ding: 也得看短期投资和长期收益。单晶拉棒

的气相薄膜生长技术，具有良好的保形性、均匀性和高的台阶覆盖率。通过原子层沉积氧化铝薄膜对晶体硅太阳能电池硅片进行表面钝化，可以增加载流子的有效寿命，从而大幅度提高太阳能电池整体的转换效率。ALD表面
氧化铝钝化层，退火后平均少子寿命可达1ms，有效减少了硅片表面复合，具有优秀的表面钝化效果。目前，嘉兴微电子设备与仪器工程中心创新团队以技术优势，吸引美国硅谷研究团队来嘉兴开展原子层技术合作，加快了国内

一重要步骤，同时能提供晶硅太阳能电池整体解决方案的能力，可帮助客户规划有助于提升效率的制程并进一步降低投资及营运成本。VCS 1200 PECVD杰出的表现在于发挥氮化硅及氧化铝层的最佳钝化效果，并且仅
拓展使效率再提升PERC太阳能电池的背面保护层钝化系分为三大步骤，首先，运用化学湿制程抛光电池片的一侧，然后使用电浆辅助化学气相沉积系统在电池片上生成氧化铝薄膜和一层氮化硅，最后再以雷射开启堆栈式绝缘层