极电

简称“湖北光伏中心”）研制的太阳能灯。 　　以前，该公园的路灯是普通钠灯。为了迎接奥运会，有关方面决定启动路灯改造工程：采用LED（半导体发光二极管）和LVD（电子节能灯）太阳能灯。今年2月
，不需耗费电网中的一度电，即可放出光芒。 　　太阳能灯还具有环保安全等特点。中科院武汉植物园的刘宏涛研究员介绍，该园安装了约2000盏太阳能灯。该园有很多稀有植物，如采用常规灯照明，这些灯会发出热量

环保节能股热翻天，发光二极管（LED）厂由于在制程与太阳能产业相近而纷纷投入，佰鸿工业董事长廖宗仁表示，将与全球最大的砷化镓磊晶厂KOPIN共同发展三五族聚化型的太阳能芯片，华上光电在开发三五族聚光
产业挟着机器设备、制程与太阳能产业相近的优势，近期积极跨入太阳能产业，在台达电今年3月宣布开发完成转换效率超过35%的三五族聚光型太阳能电池（CPV）接收器模块相关的组装设计与制程技术，并已通过验证

常见的是无定形块状，它们是热和电的不良导体、质硬，主要用于冶金工业（例如铁合金及铝合金的生产）及制造硅化物。晶体硅是银灰色，有金属光泽的晶体，能导电（但导电率不及金属）故又称为金属硅。高纯度的金属硅
（≥99．99％）是生产半导体的材料，也是电子工业的基础材料。掺杂有微量硼、磷等元素的单晶硅可用于制造二极管、晶体管及其他半导体器件。 　　由于半导体技术不断向高集成度，高性能，低成本和系统化方向发展

厚0.05m-0.1m，铜过渡区厚度为1m，在一定的结深和过渡区范围内，电池效率与高浓度Cu2S层厚度（结深）成正比，与铜过渡区厚度成反比，并计算出电他的极限效率为18％，实际工艺可能达到12.5
％）。 2.4.CulnSe2薄膜生长工艺 Cu1nSe2薄膜的生长方法主要有：真空蒸发法、Cu-In合金膜的硒化处理法（包括电沉积法和化学热还原法）、封闭空间的气相输运法（CsCVT）、喷涂热解法

插入污掺杂层以克服界面壁垒。（3）p层材料采用宽带隙高电导的微晶薄膜，如μc-sic，可以减少P层的光吸收损失；减少电他的串联电阻。（4）为减少p／i界面缺陷，减少二极管质量因子，在p/i界面插入C含量
1014cm-1以上，通常0．5μm左右厚度俏a-Si就可以将敏感谱域的光吸收殆尽。所以，p/i/n结构的a-Si电他的厚度取0，5μm左右，而作为死光吸收区的p、n层的厚度在10nm量级。1．5小结

寿命衬底尤为重要；V型槽可使发射极横向电阻降低3倍。由于PESC电他的最佳发射极方块电阻在150 Ω／口以上，降低发射极电阻可提高电池填充因子。 在发射结磷扩散后，…m厚的Al层沉积在电他背面

，是三到四个三峡电的发电功率，它要发这些电，如果按烧煤来算，大约差不多大约两亿吨煤。 现在我们看到的这种节电设备，靠控制电动机的转速达到节电的目的。适用于大型电机工作。它广泛应用在工业上
节能产业来讲有什么影响？ 王兵树：打造这个电谷之后，那就会有一个规模的变化，当然对我们在这种节能产业的影响就十分重大了。 除了太阳能光伏电板、风电叶片这样的新能源设备制造以外

）P层材料采用宽带隙高电导的微晶薄膜，如μc一Slc，可以减少P层的光吸收损失；减少电池的串联电阻。（4）为减少P/I界面缺陷，减少二极管质量因子，在P/I界面插入C含量缓变层。此层的最佳制备方法是
的光的吸收利用。值得一提的是，我国在八.五攻关中采用此类技术，实现大面积（900CM2） 件电池6.55％的稳定效率。小面积电池单结开路电高达1. 12伏。 3．叠层电池技术 减薄

台达电日前宣布开发完成类属于薄膜太阳能之一的III-V族用太阳能接收器模块组装设计及制程技术，并已取得认证，该技术是由台达电与美国波音公司旗下专注太阳能产品开发的Spectrolab共同合作，台达电