材料介面

实验室制造了复杂的石墨烯纳米P-N结，利用850纳米的激光照射石墨烯P-N结介面，并测量激光照射点产生的光电流。结果发现，随着激光强度的增加，特别是在低温的条件下，可取得最大为5 毫安/瓦（mA/W
大多数材料的过热电子可将能量传递到周围晶格，而石墨烯则需要很高的能量才能振动其晶格的碳原子核，因此只有很少的电子能将热能转移到晶格。研究人员表示，该研究成果是光电及能量采集方面十分重要的进展。由于这种现象

照射石墨烯P-N结介面，并测量激光照射点产生的光电流。结果发现，随着激光强度的增加，特别是在低温的条件下，可取得最大为5毫安/瓦（mA/W）的光电流，这一数值比以前的石墨光电器件高6倍。热载流子效应并不
很大能量时，便可成为热载流子。由于热载流子所造成的一些影响，就称为热载流子效应。）研究人员认为，石墨烯之所以会产生上述现象，是由于大多数材料的过热电子可将能量传递到周围晶格，而石墨烯则需要很高的能量

发电是依靠太阳能电池元件，利用半导体材料的电子学特性，当太阳光照射在半导体PN结上，由于P－N结势垒区产生了较强的内建静电场，因而产生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡
系统，即和公用电网通过标准介面相连接，像一个小型的发电厂；另一类是独立式发电系统，即在自己的闭路系统内部形成电路。并网发电系统通过光伏阵列将接收来的太阳辐射能量经过高频直流转换后变成高压直流电，经过

成为各研发团队努力的方向。量子效率的理论与能量守恒定律，定义每种介面形式的光电转换效率极限，因此目前提高单位整体转换效率的方式主要为聚光以增加单位光强度而提高效率(图1)，以及增加太阳光谱感应频段以增加
绝缘材料烧毁，因此追日系统的精度往往要达到0.1度的范围。即使追日系统精度能达到要求，高聚光系统还要面临更严苛的考验。若聚焦倍率高于三百倍以上时，对焦正确无误情况下，无法转换的光热能在长期的累积下，也

等诸多HB-LED 元件制造商、蓝宝石晶圆、MOCVD制程，以及LED产业关键设备、材料供应商，并在11月11日举行第一次HB-LED例会，针对LED制程需求组成了晶圆(wafers)、载器
任务是透过相关标准的制定以促进硬体与软体介面的通用性，以期有效降低成本，透过高度自动化与整合的机制，HB-LED制造商在设备供应商的选择将更有弹性，对产业整体发展实有助益。 ˙组装──目前，鉴于在光

Vaynzof在7月22日美国物理联合会的《应用物理快报》在线版中报道的7，共轭聚合物因其光吸收和导电性是制作这种系统的优良材料。遗憾的是，这类材料较差的电荷分解能力往往会抑制其性能。光生电荷在被收集而
形成电力之前，它们仍保持紧密束缚并重新复合。本着解决这一问题的目的，Vaynzof和同事们研究了在光吸收有机聚合物和无机氧化物层介面上的电荷分解。 Vaynzof指出，他们发现用单层自组织分子膜来