智能芯片

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科技部公布太阳能等能源领域863和支撑计划项目来源: 发布时间:2013-04-26 10:28:02

个领域备选项目征集指南。其中在先进能源领域,包含太阳能发电、风力发电、储能、智能电网和节能5个类别。太阳能发电方面的指导方向包括:1. 喷墨打印制备超细栅电极太阳电池中试线关键技术研究(前沿技术类
,国拨经费控制额1000万元,企业牵头)研发适用于晶硅、薄膜等不同类型太阳电池的低成本喷墨打印制备超细栅电极技术,开发智能化工艺和相应设备,制备更高效率的太阳能电池,并建立MW级中试生产线。2. 基于

科技部征集2014年863及支撑计划项目来源:PV-Tech 发布时间:2013-04-26 09:34:39

备选项目征集指南。其中在先进能源领域,包含太阳能发电、风力发电、储能、智能电网和节能5个类别。 太阳能发电方面的指导方向包括: 1. 喷墨打印制备超细栅电极太阳电池中试线关键技术
研究(前沿技术类,国拨经费控制额1000万元,企业牵头)研发适用于晶硅、薄膜等不同类型太阳电池的低成本喷墨打印制备超细栅电极技术,开发智能化工艺和相应设备,制备更高效率的太阳电池,并建立MW级中试

高利用率太阳能发电模式“小男孩-B”面世来源:世纪新能源网 发布时间:2013-04-15 08:41:31

可以多个电站相连无遮挡,使得屋顶利用率达到90%。 该机发电机组采用的是太阳能高倍聚光光伏发电效率高达40%砷化镓芯片,新设计的镜场聚光效率比通常太阳能高倍聚光电站技术采用的菲涅尔透射聚光和双曲
界面和配备了蓝牙功能的安卓电脑系统,使其具有远程监控功能,产品达到高度的智能化。该机可以满足用户变化的能源需求(如不同季节的供热制冷发电需求等),同时升级换代容易。该机还配有1吨的储能水箱,储水

大幅提高屋顶利用率的分布式太阳能光伏发电新产品来源:世纪新能源网 发布时间:2013-04-14 23:59:59

场间跟踪无遮挡,而且可以多个电站相连无遮挡,使得屋顶利用率达到90%。该机发电机组采用的是太阳能高倍聚光光伏发电效率高达40%砷化镓芯片,新设计的镜场聚光效率比通常太阳能高倍聚光电站技术采用的菲涅尔
配备了蓝牙功能的安卓电脑系统,使其具有远程监控功能,产品达到高度的智能化。该机可以满足用户变化的能源需求(如不同季节的供热制冷发电需求等),同时升级换代容易。该机还配有1吨的储能水箱,储水温度可控(可

应用材料公司被评为2013年度“全球最具商业道德企业”来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-03-13 10:38:16

高科技企业。应用材料的创新设备、服务和软件被广泛应用于先进半导体芯片、平板显示和太阳能光伏产品制造产业。我们的技术使智能手机、平板电视和太阳能面板等创新产品以更普及、更具价格优势的方式惠及全球商界和

应用材料公司任命鲍勃•哈利迪(Bob Halliday)为首席财务官来源: 发布时间:2013-02-28 12:51:59

,并已取得美国注册会计师资格。应用材料公司(纳斯达克:AMAT)是一家全球领先的高科技企业。应用材料公司的创新设备、服务和软件被广泛应用于先进半导体芯片、平板显示器和太阳能光伏产品制造产业。我们的技术使
智能手机、平板电视和太阳能面板等创新产品以更普及、更具价格优势的方式惠及全球商界和普通消费者。欲了解更多信息,请访问:www.appliedmaterials.com。

应用材料太阳能事业部总裁当选美国国家工程院院士来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-02-26 14:01:44

设备、服务和软件被广泛应用于先进半导体芯片、平板显示器和太阳能光伏产品制造产业。我们的技术使智能手机、平板电视和太阳能面板等创新产品以更普及、更具价格优势的方式惠及全球商界和普通消费者。

光伏逆变器部件IGBT产业化工程主体混凝土封顶按期完成来源:互联网 发布时间:2013-02-22 14:27:40

建设阶段。项目拟建设一条年产12万片的8英寸IGBT芯片产业化生产线,以及其配套的高标准净化芯片制造及封装、测试厂房及其附属设施,建成后将可实现生产600V-6500VIGBT/FRD芯片,并配套形成

应用材料公司发布2013财年第一季度财报来源: 发布时间:2013-02-19 11:31:59

(纳斯达克:AMAT)是一家全球领先的高科技企业。应用材料公司的创新设备、服务和软件被广泛应用于先进半导体芯片、平板显示器和太阳能光伏产品制造产业。我们的技术使智能手机、平板电视和太阳能面板等创新
增长潜力持乐观态度。2013年将继续成为智能手机和平板电脑等移动产品强势增长的一年,而我们的客户正更多地向应用材料公司寻求解决他们在该增长市场所面临的技术挑战。  2013年第1季度财报总结应用材料公司

光伏逆变器核心部件IGBT产业化建设工程主体混凝土封顶按期完成来源:世纪新能源网 发布时间:2013-02-18 23:59:59

入实体建设阶段。项目拟建设一条年产12万片的8英寸IGBT芯片产业化生产线,以及其配套的高标准净化芯片制造及封装、测试厂房及其附属设施,建成后将可实现生产600V-6500V IGBT/FRD芯片,并