晶硅薄膜电池

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光伏盛宴:2016光伏在线展即将起航来源: 发布时间:2016-01-09 11:12:59

薄膜电池板生产设备。2、光伏电池/组件区:单晶硅电池/组件、多晶硅电池/组件、非晶硅电池/组件、铜铟镓二硒电池(CIS/CIGS)/组件、镉碲薄膜电池(CdTe)/组件、染料敏化电池DSSC/组件等。3

【干货】如何识别光伏电池组件的隐裂问题来源:微信王淑娟 发布时间:2016-01-06 20:01:14

失效的面积几乎为零。  相比于晶硅电池表面的栅线,薄膜电池表面整体覆盖了一层透明导电膜,所以这也是薄膜组件无隐裂的一个原因。  有研究结果显示,组件中某单个电池片的失效面积在8%以内时,对组件的功率影响
晶体结构的自身特性,晶硅电池片十分容易发生破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长,许多环节都可能造成电池片隐裂(据西安交大杨宏老师的资料,仅电池生产阶段就有约200种原因)。隐裂产生的本质原因,可归纳为在

“矛盾”的2015:光伏产业对立之势仍将延续?来源: 发布时间:2016-01-06 00:00:59

太阳能电池可分为三类:单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池三种,薄膜电池又分为:非/微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池和CdTe薄膜电池三种。生产单晶硅的主要厂家有Sunpower,隆基

光伏产品竞争回归到技术 补贴不到位仍是行业最大软肋来源:晶福源 发布时间:2016-01-05 13:54:50

2015光伏行业热点话题。 当前太阳能电池可分为三类:单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池三种,薄膜电池又分为:非/微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池和CdTe薄膜电池三种。生产单晶硅

钙钛矿光伏电池能革前辈们的命吗?来源:IntoPV 发布时间:2016-01-05 12:51:07

,使得该类材料具有优异的载流子传输特性。而且还有合适的能带结构,较好的光吸收性能,能够吸收几乎全部范围的可见光用于光电转换。以钙钛矿型铅碘化合物为活性吸光材料的薄膜电池,普遍来说两边还分别需要电子传输层
评选为2013年十大科学突破之一。效率值高于非晶硅电池实验室值,更是甩开它的近亲染料敏化和有机太阳能电池几条街的距离。最重要的是随着电池工艺的进一步发展和成熟,暂时还看不到它效率值的天花板

钙钛矿光伏电池会成为新型电池的“大杀器”吗?来源:IntoPV作者:逯好峰 发布时间:2016-01-04 23:59:59

载流子传输特性。而且还有合适的能带结构,较好的光吸收性能,能够吸收几乎全部范围的可见光用于光电转换。以钙钛矿型铅碘化合物为活性吸光材料的薄膜电池,普遍来说两边还分别需要电子传输层(一般为二氧化
高于非晶硅电池实验室值,更是甩开它的近亲染料敏化和有机太阳能电池几条街的距离。最重要的是随着电池工艺的进一步发展和成熟,暂时还看不到它效率值的天花板。2、制备条件和成本能源消耗和生产成本对当今ink

光伏业究竟谁是老大 还得靠技术来说话来源:北极星太阳能光伏网作者:刘继茂 发布时间:2016-01-04 23:59:59

热点话题。当前太阳能电池可分为三类:单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池三种,薄膜电池又分为:非/微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池和CdTe薄膜电池三种。生产单晶硅的主要厂家有Sunpower

产品竞争由价格回归到技术,补贴不到位仍是行业最大软肋--2015年光伏行业热点回顾来源:世纪新能源网 发布时间:2016-01-04 23:59:59

光伏行业热点话题。当前太阳能电池可分为三类:单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池三种,薄膜电池又分为:非/微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池和CdTe薄膜电池三种。生产单晶硅的主要厂家

【汇总】“十三五”光伏光热产业规划要点何在?来源: 发布时间:2016-01-04 00:00:59

。光伏产业技术进步明显加快,光伏制造产业继续向高效化和精细化发展。多晶硅生产成本不断下降,光伏电池质量位居世界前列,产品效率平均每年提升约0.3~0.4%,产业批量化生产的多晶硅大阳电池转换效串已经达到
2020年底,在太阳能发电总装机容量中,热发电占比6%。2、技术创新指标效率指标:单晶硅电池的产业化转换效率达到23%以上,多晶硅电池转换效率达到20以上,新型薄膜太阳能电池实现产业化,热发电效率达到

遇到光伏电池的“隐裂”该如何处理?来源:作者:刘松民 发布时间:2016-01-03 23:59:59

。垂直于主栅线的裂纹(第5类)几乎不影响细栅线,因此造成电池片失效的面积几乎为零。相比于晶硅电池表面的栅线,薄膜电池表面整体覆盖了一层透明导电膜,所以这也是薄膜组件无隐裂的一个原因。有研究结果显示,组件
晶体结构的自身特性,晶硅电池片十分容易发生破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长,许多环节都可能造成电池片隐裂(据西安交大杨宏老师的资料,仅电池生产阶段就有约200种原因)。隐裂产生的本质原因,可归纳为在硅片上