晶硅薄膜电池
，2014年，我国产业化生产的高效多晶硅电池平均转换效率达到17.8%，单晶硅电池平均转换效率达到19.3%，处于全球领先水平。
今年6月，工信部等三部委联合发布《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级
有限公司总经理杨立友介绍说，目前公司多晶硅电池平均效率即达到18%以上，采用二次印刷工艺的电池量产效率最高达到18.84%，组件效率远超领跑者计划16.5%的标准。我们希望通过为客户平价供应高功率
同质化的背景下，我国光伏企业近年来加大了工艺技术研发力度，生产工艺水平不断进步。中国光伏行业协会数据显示，2014年，我国产业化生产的高效多晶硅电池平均转换效率达到17.8%，单晶硅电池平均转换效率达到
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技术进步是维持企业生命力的重要保障，就光伏转换率而言，在现阶段每提高一个百分点就很了不起。晋能清洁能源科技有限公司总经理杨立友介绍说，目前公司多晶硅电池平均效率即达到18%以上，采用二次印刷工艺的
在供需失衡、产品同质化的背景下，我国光伏企业近年来加大了工艺技术研发力度，生产工艺水平不断进步。中国光伏行业协会数据显示，2014年，我国产业化生产的高效多晶硅电池平均转换效率达到17.8
%，单晶硅电池平均转换效率达到19.3%，处于全球领先水平。
今年6月，工信部等三部委联合发布《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》，提出应提高光伏产品市场准入标准，支持先进技术产品扩大
光伏电池组件转换效率达到16.5%以上。多晶硅、单晶硅、薄膜电池组件自投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5%、3%、5%。并网逆变器加权效率应满足：带变压器型不得低于96%，不带变压器型不得低于98
单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；
2.高倍聚光光伏组件光电转换效率不低于28%；
3.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
不低于8%、11%、11%和10%；
4.多晶硅、单晶硅和薄膜电池组件自项目投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5%、3%和5%，之后每年衰减率不高于0.7%，项目全生命周期内衰减率不高于20
光伏电池组件转换效率达到16.5%以上。多晶硅、单晶硅、薄膜电池组件自投产运行之日起，一年内衰减率分别不高于2.5%、3%、5%。并网逆变器加权效率应满足：带变压器型不得低于96%，不带变压器型不得低于98%。 钱晶
技术水平，进而提高光伏电站的发电能力，最终降低发电成本，促进整个光伏产业健康持续发展。
《意见》中的领跑者计划对以光伏组件为主的光伏产品提出了具体要求：多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别
达到16.5%和17%以上；高倍聚光光伏组件光电转换效率达到30%以上；硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别达到12%、13%、13%和12%以上。
领跑者计划的初衷和目标都非常
，未来相当长时期内仍将保持多条技术路线并行发展，目前的市场格局是晶硅太阳电池占比超过90%，薄膜电池不到10%。各种技术路线共同的发展趋势是实现高效率、高稳定性、低成本技术大规模产业化。在较为成熟的
无电极遮挡的背接触电池设计；新型表面抗反射及陷光结构。薄膜电池与晶硅电池相比，在光电转换效率、生产工艺、稳定性、材料替代等方面的改善空间较大，高效薄膜电池技术领域的突破有望使其成为光伏制造业未来发展的热点
备选项目目录中。
三、先进光伏技术发展趋势
全球光伏产业尚处在导入期，未来相当长时期内仍将保持多条技术路线并行发展，目前的市场格局是晶硅太阳电池占比超过90%，薄膜电池不到10%。各种技术路线共同的
在于：选择性发射极；表面/背面钝化技术；局部扩散的背场技术；N型单晶硅电池；正面无电极遮挡的背接触电池设计；新型表面抗反射及陷光结构。薄膜电池与晶硅电池相比，在光电转换效率、生产工艺、稳定性、材料替代等方面
导入期，未来相当长时期内仍将保持多条技术路线并行发展，目前的市场格局是晶硅太阳电池占比超过90%，薄膜电池不到10%。各种技术路线共同的发展趋势是实现高效率、高稳定性、低成本技术大规模产业化。在较为成熟
电池；正面无电极遮挡的背接触电池设计；新型表面抗反射及陷光结构。薄膜电池与晶硅电池相比，在光电转换效率、生产工艺、稳定性、材料替代等方面的改善空间较大，高效薄膜电池技术领域的突破有望使其成为光伏制造业未来
