晶硅电池产业

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聚光光伏究竟有无前途?(独家)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-07-04 08:07:59

500倍。相比晶硅电池和薄膜电池产业来说,聚光光伏已成为一个极具诱惑力的市场。目前,投身于此行业的国内外公司已经越来越多,其中就包括Boeing、Amonix、PracticalInstruments
聚光光伏(CPV)是指将汇聚后的太阳光通过高转化效率的光伏电池直接转换为电能的技术,属于光伏发电。使用晶硅电池和薄膜电池进行光电转换,分别是第一、第二代光伏发电技术,均已得到了广泛应用。利用光学元件

日本光伏业本土化信仰逐渐被打破来源:solarF阳光网 发布时间:2012-07-03 09:38:15

收购制度的目的之一是扶持日本的太阳能电池产业。但中国生产的太阳能电池与日本产品相比一点都不逊色。 如果以质量差为由把中国产品排除在收购制度之外,那也必将排除日本产品。将二者区别对待是
。    太阳能电池以单晶硅类和多晶硅类2种为主流。转换效率因种类而异,单晶类的转换效率一般约为20%,多晶类约为15%。    多晶类与单晶类相比虽然转换效率差,但价格低廉,得到了设置面积广大

中国光伏企业或将颠覆日本人“国产信仰”来源:日经BP社 发布时间:2012-07-02 08:48:09

。 日本企业都在着重强调高品质。但实际上,中国生产的太阳能电池的质量很难说比日本产品差。 日本经济产业省某位官员说:全量收购制度的目的之一是扶持日本的太阳能电池产业。但中国生产的太阳能电池与日
转换成电能的太阳能光伏电池,直接关系到获取最大利润。 太阳能电池以单晶硅类和多晶硅类2种为主流。转换效率因种类而异,单晶类的转换效率一般约为20%,多晶类约为15%。 多晶类与单晶类相比虽然

“十二五”掌舵 太阳能风能方向明朗来源: 发布时间:2012-06-29 13:22:01

自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力;单晶硅电池产业化平均效率突破20%,拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利实施,科技部提出将鼓励各类社会资本的投入,鼓励企业

“十二五”为太阳能风能科技发展指明方向来源:国家工程建设标准化信息网 发布时间:2012-06-29 11:55:43

自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力;单晶硅电池产业化平均效率突破20%,拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。 为保证《规划》顺利实施,科技部提出将鼓励各类社会资本的投入

指尖上的光伏(二)来源: 发布时间:2012-06-27 10:10:59

暗示,窥探自然的语汇。这白色的亮点就是石英,主要成分是二氧化硅SiO2。二氧化硅,通过冶炼获得硅粉,再经一系列化学的、物理的提纯工艺就可生成高纯度多晶硅硅锭。硅锭经过切片、刻蚀、清洗、丝网印刷、测试等
光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。目前的电池光电转化效率,多晶硅约16%,非晶硅薄膜约9%。成本的

潜力无限的聚光光伏来源: 发布时间:2012-06-26 17:07:59

电池投资回收期要在5~6年,国外要2~3年,薄膜电池在1年左右能回收,而聚光光伏大概只需半年时间。相比晶硅电池和薄膜电池产业来说,聚光光伏已成为一个极具诱惑力的市场。目前,投身于此行业的国内外公司已经越来越多
通过高转化效率的光伏电池直接转换为电能的技术,属于光伏发电。使用晶硅电池和薄膜电池进行光电转换,分别是第一、第二代光伏发电技术,均已得到了广泛应用。利用光学元件将太阳光汇聚后再发电的聚光光伏技术,被认为是

英利绿色能源:逆势扩张尽显王者风范来源:solarbe.com 发布时间:2012-06-26 09:08:51

三期年产300MW多晶硅太阳能电池项目以及保定中泰新能源有限公司多晶硅太阳能电池产业链项目。   上述项目计划在2012年陆续投产达产,原材料和辅料采购以及补充人工、电费等方面的营运资金需求将

英利绿色能源:逆势扩张背后的底气来源: 发布时间:2012-06-25 13:41:59

晶硅太阳能电池项目以及保定中泰新能源有限公司多晶硅太阳能电池产业链项目。上述项目计划在2012年陆续投产达产,原材料和辅料采购以及补充人工、电费等方面的营运资金需求将大幅增加,预计2012年年均采购

晶硅缺陷的分析来源: 发布时间:2012-06-06 14:59:41

,验证缺陷对杂质的吸收。关键字:单晶硅;缺陷;化学腐蚀法;消除与控制0引言硅是全球第一产业--电子信息技术产业以及新能源产业--太阳能光伏电池产业的基础材料。随着网络时代的到来,半导体产业将发展到新的
索比光伏网讯:摘要:晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷,观察典型的位错。通过实验发现缺陷分布的一般规律:中间尺寸大,密度小,边缘尺寸小,密度大