晶硅生长炉

。 控制ZMR条件，可使再结晶硅膜中的腐蚀坑密度由1I07cm-2下降到1-2106cm-2，同时（100）晶相面积迅速增加到90％以上。为了满足光伏电池对层厚的要求，在ZMR层上用CVD法生长厚度为
抽真空后通氖气以驱除残留气体，加热石墨至所需温度，随即通入混合气体，在1100℃-1250℃下，SiCl4被H2还原，硅沉积在衬底上。研究了多晶硅薄膜的生长规律并对膜的基本物理特性进行研究。1998年

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在

、逆变器、水泵、太阳能发电系统设备、太阳能转换设备、燃料电池、硅太阳电池、薄膜太阳电池、多晶硅单晶硅原材料、光伏幕墙玻璃、超声波清洗设备、太阳能车、激光划片机、检测设备、各种烧结炉、生长炉；光伏发电互补系统

《科技日报》2007年4月4日消息 3月31日上午，在河南洛阳中硅高科技有限公司誉为“宝贝”的炉子前，当巨大的炉盖被吊车徐徐吊离，炉内24对已生长到2米左右的硅棒终于得以“一展风采”。这个
“宝贝”炉子，就是该公司承担的国家“863”攻关课题——“24对棒节能型多晶硅还原炉成套装置”的主要部分。该项目的课题负责人、公司副总工程师严大洲欣慰地说：“这一炉能出4吨产品，价值约800万元