晶硅片

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【特写】万跃鹏:坚守赛维LDK八年的晶硅“半壁江山”来源: 发布时间:2015-11-24 00:08:59

三十篇学术文章收录会议论文集,作为作者或合作者发表专著3本。万跃鹏的研究涉及光伏及半导体硅材料、硅晶体、硅片加工以及硅材料回收等等。曾获得并主持承担多项美国联邦政府资助的有关太阳能电池硅晶材料与半导体
低能耗高产出的长晶设备、硅片切割清洗工艺的改进及提高。公司要领先,必须要有自己的知识产权、研发能力和专利。像许多国内光伏企业一样,赛维LDK公司所走的技术路线是引进、消化、吸收、再创新,现在已经到了再创

单晶组件可靠性与集约性特征简述来源:索比光伏网 发布时间:2015-11-20 10:27:14

晶体硅组件占每年全球光伏市场需求的90%以上,是主流光伏产品技术。晶体硅光伏产业链包括5个环节:多晶硅料、长晶、硅片、电池、组件。在长晶环节,晶体硅技术分化为单晶和多晶两条路线。 单晶和多晶的主要

单晶or多晶:晶硅光伏市场谁笑到最后?来源:隆基股份 发布时间:2015-11-17 09:00:10

份额对比数据 单晶VS多晶 一、材料性能对比 单多晶的晶体生长工艺不同,单晶硅的晶面取向相同、无晶界,品质优异,而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布,晶格缺陷增多,导致单晶硅片与多晶硅片

单晶or多晶:晶硅光伏市场 谁笑到最后?来源: 发布时间:2015-11-17 00:05:59

数据单晶VS多晶一、材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同,单晶硅的晶面取向相同、无晶界,品质优异,而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布,晶格缺陷增多,导致单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能

技术进步推进单晶电池扩大市场份额来源:隆基股份 发布时间:2015-11-16 16:49:17

及人力等成本。其中,仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片左右。并且,即便多晶金刚线切割硅片通过增加额外投资的方式解决了制绒问题,多晶硅材料晶界的疏松特性和存在的硬质
逐步在低端市场扩大应用,特别是随着单晶产能的提升和硅片价格的持续下降,来自发电端投资回报意识的提升降低了盲目抢装,单晶组件最近几年在国内开始持续扩大装机量,并以发电端实实在在的对比优势逐步呈现,使得

虽然未摆脱低价魔咒 保利协鑫仍创下晶硅产销新高来源: 发布时间:2015-11-13 08:16:59

销。三季度多晶硅价格止跌企稳,硅片价格则从7月开始持续回升。分析师表示,保利协鑫自备电厂于7月并网运行降低了多晶硅的生产成本,加上在长晶、切片环节的工艺改进、扩大产能方面的努力,完全可以抵消价格小幅
全球光伏发电站大兴土木的繁荣图景,并未让最上端的多晶硅产业摆脱低价运行的泥淖,不少没有向下游延伸的光伏企业游走在亏损边缘。不过,对于全球最大的多晶硅及硅片制造商保利协鑫来说,它们已经闻到了春天的气息

第三季业绩向好 保利协鑫2015产销量有望刷新纪录来源:大公财经 发布时间:2015-11-12 10:17:03

全球多晶硅及硅片龙头保利协鑫11日晚发布第三季度业绩公告显示,其前三季度光伏材料生产及销售均实现10%以上的增长。其中第三季度多晶硅、硅片的产销量环比均有不同幅度的上升,反映出企稳回暖的态势
。 业内人士指出,随着国内第四季度光伏装机需求的进一步释放,保利协鑫2015年度的产销量规模有望刷新纪录。 价格企稳回升,硅片业务继续唱主角 公告显示,保利协鑫前三季度共生产多晶硅55771吨

高效晶硅助力保利协鑫第三季业绩来源: 发布时间:2015-11-12 10:04:59

全球多晶硅及硅片龙头保利协鑫于11日晚发布的第三季度业绩,公告显示其前三季度光伏材料生产及销售均实现10%以上的增长。其中第三季度多晶硅、硅片的产销量环比均有不同幅度的上升,反映出企稳回暖的态势
。随着国内第四季度光伏装机需求的进一步释放,保利协鑫2015年度的产销量规模有望刷新纪录。价格企稳回升,硅片业务继续唱主角公告显示,保利协鑫前三季度共生产多晶硅55771吨,同比上升约12.5%。其中

高效多晶硅片优势凸显 保利协鑫第三季业绩向好来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2015-11-12 09:42:35

硅片价格则从7月份开始持续回升。有分析师表示,保利协鑫自备电厂于7月份并网运行降低了多晶硅的生产成本,加上在长晶、切片环节的工艺改进、扩大产能方面的努力,完全可以抵消价格小幅下降带来的影响。保利协鑫执行
全球多晶硅及硅片龙头保利协鑫于11日晚发布的第三季度业绩,公告显示其前三季度光伏材料生产及销售均实现10%以上的增长。其中第三季度多晶硅、硅片的产销量环比均有不同幅度的上升,反映出企稳回暖的态势

【技术】N型黑硅光伏电池知多少?来源: 发布时间:2015-11-12 00:08:59

,背面通过PassDop工艺进行钝化。PassDop工艺包括PECVD沉积磷掺杂非晶SiCx:H层,在钝化层表面激光开槽形成接触点。激光开槽后,在接触点位置磷扩散形成局部背表面场。在硅片背面烝镀铝形成背面
%。近几年来,Al2O3被认为是P型、N型、P+表面最有发展潜力的电介质钝化层。Al2O3的钝化效果与硅片表面的低缺陷密度和Si/Al2O3接触面固定负电荷有关。在光伏行业,原子层沉积(ALD)的出现解决